过等离子清洗的产品或材料，如何来判断其处理效果呢？除了大家熟知的水滴角（接触角）测试仪、达因笔，还有没有其他方法呢？1、水滴角测试水滴角测试是测试等离子体对产品有无处理效果的方法之一，水滴角测试可以体现出等离子对产品处理是否有效果，但不能

光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的，

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1. 清洗硅片并准备掩膜：1）浓H2SO4H2O2=3﹕1，15min（配1次洗液可以用1周；H2O2 30%）；2）打开电热板调至200℃；掩膜准备；2. 超纯水清洗硅片；注释：用镊子夹着硅片，不能使硅片放干；3. 无水乙醇清洗硅片，1

英文缩写 FE-SEM英文全称 Field Emission Scanning Electron Microscope中文解释 电场枪扫描电子显微镜缩写分类 电子电工 数学物理缩写简介 太阳能硅片表面等离子体清洗工艺 硅

太阳能硅片表面等离子体清洗工艺 硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉。去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易，清洗彻底，无反应物残留，所霈工艺气体无毒，成本低，

太阳能硅片表面等离子体清洗工艺 硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉。去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易，清洗彻底，无反应物残留，所霈工艺气体无毒，成本低，

检查硅片表面残留的涂层或均匀薄膜。扫描电镜SEM是介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观性貌观察手段，可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。测sem时的硅片的作用检查硅片表面残留的涂层或均匀薄膜，硅片是生产集成电路、分立器件、传感器

检查硅片表面残留的涂层或均匀薄膜。扫描电镜SEM是介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观性貌观察手段，可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。测sem时的硅片的作用检查硅片表面残留的涂层或均匀薄膜，硅片是生产集成电路、分立器件、传感器

1. 清洗硅片并准备掩膜：1）浓H2SO4H2O2=3﹕1，15min（配1次洗液可以用1周；H2O2 30%）；2）打开电热板调至200℃；掩膜准备；2. 超纯水清洗硅片；注释：用镊子夹着硅片，不能使硅片放干；3. 无水乙醇清洗硅片，1

1. 清洗硅片并准备掩膜：1）浓H2SO4H2O2=3﹕1，15min（配1次洗液可以用1周；H2O2 30%）；2）打开电热板调至200℃；掩膜准备；2. 超纯水清洗硅片；注释：用镊子夹着硅片，不能使硅片放干；3. 无水乙醇清洗硅片，1

我们在工业应用中发现一些橡胶塑料件在进行表面连接的时候会出现粘接困难的问题，这是因为聚丙烯、PTFE等橡胶塑料材料是没有极性的，这些材料在未经过表面处理的状态下进行的印刷、粘合、涂覆等效果非常差，甚至无法进行。有些工艺用一些化学药剂对这些

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一、等离子体法等离子体法是通过激活载气携带的原料形成等离子体，再加热反应生成超微粒子的方法。以TiCl4为原料，氢气为载气，氧气为反应气体，应用频率为2450MHz的微波诱导可合成有机膜包裹的TiO2。1992年，日本东北大学采用等离子体（

烧结试样的 SEM 分析采用日本日立公司生产的 S-520 扫描电子显微镜完成。首先将试样的新鲜断裂面在 IB-3 离子溅射渡膜仪中喷渡厚度约为 10 ～20 nm 的金，对结构致密的部分试样断裂面采用 40%浓度的氢氟酸 ( HF) 侵蚀

烧结试样的 SEM 分析采用日本日立公司生产的 S-520 扫描电子显微镜完成。首先将试样的新鲜断裂面在 IB-3 离子溅射渡膜仪中喷渡厚度约为 10 ～20 nm 的金，对结构致密的部分试样断裂面采用 40%浓度的氢氟酸 ( HF) 侵蚀