对于零维和一维纳米材料，SEM观察时需要分散。一般使用有机溶剂加分散剂，超声波分散，离心沉淀后用吸管取上清液，滴在干净的硅片或载玻片上，干燥后用导电胶带粘取。具体沉淀时间或离心机的参数，需要多做几次试验，针对不同的材料特点，选择好的条件。有

导电布胶带，也就是用导电布做成的胶带，其特性是在导电布的基础上增加了“胶”特性，其重要特性可以参照词条---导电布。一般行业上希望的“胶”是导电胶，也就是有“镍”成分的，为了起到磁屏蔽的效果。但也有不需要导电胶而只是普通的压克力胶或则热融胶

你的镀膜喷的是什么金属，金，pt，PtPa，还是Ir？如果是Au，Pt的可以用王水溶掉吧我没做过，只是猜测。至于镀层厚度，要看你的具体情况了，几个nm到十几个nm都有。如果你做能谱可能要薄一点，如果想观察到清晰图像，不被样品的二次电子干扰

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四氧化三铁的sem用什么分散制样少加样品粉末，用无水乙醇分散，样品一定要少，铺在导电胶上用洗耳球吹干，干燥后的粉末样品要肉眼看不太出来就比较好了，若是明显的一层恐怕电镜下效果不太理想应该是自然干燥或者在烘箱中干燥，不能再用水淋洗，用氮气吹可

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专业拉伸和疲劳试样，处理如下：第一：断口切下来后【高度没有要求，所切试样尽量保持一样的高度（2mm左右），这样才能方便SEM，否则SEM时，要做的SEM断口都不在一个高度，很难对焦，严重影响图片的质量】第二:在有条件的情况下，断口最好全部用

SEM的作用是：作用具体表现在六个方面：网站推广工具、网络品牌传播渠道、产品网络推广工具、网上市场调研工具、网站优化检测工具以及竞争对手制造网络推广壁垒等。SEM的宗旨是：1、被收录；2、排名靠前；3、常被点击；4、客户转化；

有。硅片一般分正面和背面，正面印正银，背面印背银和背铝，烘干烧结后可以使用并测试。光伏用的硅片表面不能有线痕，这种工艺在切割时就定型，用途太阳能发电。而半导体硅片在切割时，硅片两面都有线痕，经抛光研磨后成晶圆，再上光刻胶。很多纳米管、线等都

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四氧化三铁的sem用什么分散制样少加样品粉末，用无水乙醇分散，样品一定要少，铺在导电胶上用洗耳球吹干，干燥后的粉末样品要肉眼看不太出来就比较好了，若是明显的一层恐怕电镜下效果不太理想应该是自然干燥或者在烘箱中干燥，不能再用水淋洗，用氮气吹可

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有。硅片一般分正面和背面，正面印正银，背面印背银和背铝，烘干烧结后可以使用并测试。光伏用的硅片表面不能有线痕，这种工艺在切割时就定型，用途太阳能发电。而半导体硅片在切割时，硅片两面都有线痕，经抛光研磨后成晶圆，再上光刻胶。很多纳米管、线等都

楼主如果基体必须是不导电玻璃，如不能喷金，可以喷碳，这可以消除荷电问题，不妨碍形貌观察。如果不能喷涂导电膜，就得升级您使用的仪器：使用具有更高的低电压性能扫描电镜，玻璃水平放置，低电压在1kv-2kv之间找到合适的消除荷电的观察条件，或者玻

检查硅片表面残留的涂层或均匀薄膜。扫描电镜SEM是介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观性貌观察手段，可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。测sem时的硅片的作用检查硅片表面残留的涂层或均匀薄膜，硅片是生产集成电路、分立器件、传感器

有。硅片一般分正面和背面，正面印正银，背面印背银和背铝，烘干烧结后可以使用并测试。光伏用的硅片表面不能有线痕，这种工艺在切割时就定型，用途太阳能发电。而半导体硅片在切割时，硅片两面都有线痕，经抛光研磨后成晶圆，再上光刻胶。很多纳米管、线等都

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有。硅片一般分正面和背面，正面印正银，背面印背银和背铝，烘干烧结后可以使用并测试。光伏用的硅片表面不能有线痕，这种工艺在切割时就定型，用途太阳能发电。而半导体硅片在切割时，硅片两面都有线痕，经抛光研磨后成晶圆，再上光刻胶。很多纳米管、线等都

（1）对清洗过后的溶液，进行稀释过后采用的是上清液做测试还是下层浓溶液测试（理论粒径为50nm和200nm）最好都测试一下，二者可能尺寸上面有区别。（2）银粉溶液制备成功以后，没有立即表征，遮光静置几天后，再做电镜表征，是否有影响只要排除对