贴片电阻品牌有日本的KOA、罗姆ROHM；台湾的国巨YAGEO、大毅TAI-I、华新WALSIN、丽智LIZ、厚声UNIOHM； 大陆的风华FENGHUA、富捷电子FOSAN等，最大规模的电阻厂商是YAGEO（国巨），目前欧美很少厂商做电阻

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Laser‑Induced Graphene: En Route to Smart SensingLibei Huang, Jianjun Su, Yun Song, Ruquan Ye* N

如果机柜配有走线槽的话，直接通过走线槽再连接设备，如果机柜没有走线槽的话就需要用扎线带固定在机柜方孔条上（带有U数刻度的四根立柱），这样做主要是便于布线，也是为了美观效果，不要线缆进入机柜后就往机柜背部一堆，这样做的话会出现几个问题：1、线

我理解作为一个放大器1、开环增益无穷大首要目的是要对信号做出放大，而开环状态相当于没有引入反馈，反馈电阻为∞，所以G=RfR1，也就是说当Rf→∞时，同时G→∞；2、输入阻抗无穷大当信号送入一个放大器时，就会有一个电压加在输入级上，如果你

负载电阻与放大器的输出电阻形成分压，使测量到的输出电压变小，可能使得测量到的上限频率偏低。电阻器常用于做负载，用于吸收产品使用过程中产生的不需要的电量，或起到缓冲，制动的作用。另外对高精密电阻来说，产品中带有高阻抗是不允许的，这需要选择高

用示波器进行测试时，设定输入电流为1MADC，测试得其电压，看是否与压敏电阻所标称电压一致，如有发生电压偏低，则说压敏电阻以损坏。压敏电阻已经短路，如发生压敏电压偏高，或是没有非线性，没有曲线条时，说明压敏电阻已经开路。当测试泄露电流时，可

这种问题要去看运放的电路结构，pdf里面有。就拿最典型的双极型运放来说：1、它的输入级采用差分放大电路，而且应用了镜像恒流源这类技术，恒流源理论上内阻无穷大，所以导致运放的输入电阻也极大。2、运放输出级一般都是乙类推挽放大电路，是共集

运放增益是随着电输入的电压增大而增加的，看下面为你细细道 电流反馈放大器不受基本增益带宽积的限制，随着信号幅度的增加，带宽的损失非常小。因为可以在最小失真的条件下对大信号进行调节，这些放大器在非常高的频率下通常都具有优异的线性度。而电压反馈

存储器是具有“记忆”功能的设备，它用具有两种稳定状态的物理器件来表示二进制数码“0”和“1”，这种器件称为记忆元件或记忆单元。记忆元件可以是磁芯，半导体触发器、 MOS电路或电容器等。位(bit)是二进制数的最基本单位，也是存储器存

该图是88年的一个设计.现在用时,将3DJ6与1K电阻组成的恒流源该为LM334组成.电阻的选择为:I=66.7*10-3R.如果R=6.8O欧姆~68K欧姆时.可以获得1UA~10mA的恒定电流.调整率为0.02%V.例如:I=

光敏电阻光敏电阻器（photovaristor）又叫光感电阻，是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电

锰铜是一种精密电阻合金，通常以线材供应，也有少量的板、带材，在各类仪器仪表中有着广泛的用途同时，该材料又是一种超高压力敏感材料，测压上限可高达500Pa。锰铜具有良好的压阻效应广泛应用于爆轰、高速撞击、动态断裂、新材料合成等高温高压环境的

一样的产品，一样的制造工艺，只是缩写不一样，英文全称：High Frequency （高频）Electric Resistance （电阻）Welding（焊接），中文全称：高频电阻焊管，因为只有直缝才能焊接出这种类型，所以也叫（直缝高频电

SIR测试可以用来评估金属导体之间短路或者电流泄露造成的问题。这些失效通常是由于材料的交互性，工艺控制上的疏忽，或者材料本身特性不能达到用户所需要的性能。通过加速温湿度的变化，SIR能够测量测试在特定时间内电流的变化。表面绝缘阻抗（SURF

GB 4386-1984 防静电胶底鞋 导电胶底鞋电阻值测量方法 （这个标准国家标准化管理委员会查不到，是我网上搜到的。估计是废止了）你上国家标准化管理委员会搜索导电即可。 下面贴一些我搜到的，不知道你具体需要哪个材料的。GBT 1566

已经断开的的试样可以用锯子把断裂截面切下来（1cm左右厚），然后就可以放到SEM里观察了。至于没断开，仅仅开裂的试样，恐怕只能从式样表面观察一下了，同样也是用句子把含有裂纹的部分切下来即可。时间久了的最大问题是氧化，但是作为SEM观察，其实

贴片电阻品牌有日本的KOA、罗姆ROHM；台湾的国巨YAGEO、大毅TAI-I、华新WALSIN、丽智LIZ、厚声UNIOHM； 大陆的风华FENGHUA、富捷电子FOSAN等，最大规模的电阻厂商是YAGEO（国巨），目前欧美很少厂商做电阻

相变存储器简称PCM，是基于奥弗辛斯基在20世纪60年代末提出的奥弗辛斯基电子效应的存储器。奥弗辛斯基电子效应是指材料由非晶体状态变成晶体，再变回非晶体的过程中，其非晶体和晶体状态呈现不同的反光特性和电阻特性，因此可以利用非晶态和晶态分别代