• 苏州大学:改进界面接触,实现17%高效钙钛矿发光二极管

    电荷注入不平衡是制约钙钛矿型发光二极管(PeLEDs)效率的主要问题之一。通过对多空穴传输层的器件结构进行了设计,成功地实现了高效的PeLEDs器件。然而,在一个典型的溶液法制备的PeLEDs中,多层HTL很容易被下一层的油墨重新溶解

    2023-5-3
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  • 求大神帮解说一下什么是SEM XRD EDS 分析方法和原理 本人零基础 大体了解一下

    SEM是扫描电子显微镜,最高可放大至20万倍左右,用二次电子成像的原理来观察某种物质的微观形貌。EDS是能谱仪,是每种元素对应的电子能不同,来鉴别元素,通常是和SEM结合使用,也就是说在SEM上安装EDS附件,在观看形貌时,选择一定区域用E

    2023-5-3
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  • 半导体和绝缘体禁带宽度范围

    绝缘体的禁带宽度:绝缘体的禁带宽度比较大(6~7ev),而半导体的禁带宽度通常在1ev左右,例如300K下,Si的Eg 1.12ev,Ge 0.67ev,GaAs 1.43ev,当外界条件变化的时候,里面的电子会获得能量,获得能量之后,满带

    2023-5-3
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  • 为什么硅半导体器件比锗半导体的器件工作温度高

    因为硅的禁带宽度比锗的大,且在相同温度下,锗的本征激发强于硅,很容易就达到较高的本征载流子浓度,使器件失去性能。在通常情况下,要使硅激发的本征载流子浓度接近掺杂电离的载流子浓度,所需的温度就要高于同样情况下的锗。所以,硅半导体器件比锗半导体

    2023-5-3
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  • 氮化镓是金属材料吗?

    氮化镓(GAN)是什么?氮化镓(GAN)是第三代半导体材料的典型代表,在T=300K时为,是半导体照明中发光二极管的核心组成部份。氮化镓是一种人造材料,自然形成氮化镓的条件极为苛刻,需要2000多度的高温和近万个大气压的条件才能用金属镓和氮

    2023-5-2
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  • 苏州大学:改进界面接触,实现17%高效钙钛矿发光二极管

    电荷注入不平衡是制约钙钛矿型发光二极管(PeLEDs)效率的主要问题之一。通过对多空穴传输层的器件结构进行了设计,成功地实现了高效的PeLEDs器件。然而,在一个典型的溶液法制备的PeLEDs中,多层HTL很容易被下一层的油墨重新溶解

    2023-5-2
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  • LED封装银胶的具体资料

    LED产品制作过程中所用的银胶,其作用是:1.固定性2.导电性3.传导性。银胶性能对LED的影响也主要体现在1.散热性2.光反射性3.VF电性,如果性能不好可能会影响成品率,因为沾合性不强,焊接品质不高。一般来说,银胶的品质和LED封装后的

    2023-5-2
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  • 半导体的禁带宽度大小对它的用途有何影响请举例说明

    禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大,它直接决定着器件的耐压和最高工作温度;比如氮化镓禁带宽度很大,即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带,这样就能继续发挥半导体作用,同理因为跃迁能量较大,所以GaN更难被击穿,因此常

    2023-5-2
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  • 请问,氮化镓可以用来做半导体材料吗?

    三代半导体——氮化镓氮化镓(GaN),是由氮和镓组成的一种半导体材料,因为其禁带宽度大于2.2eV,又被称为宽禁带半导体材料,在国内也称为第三代半导体材料。氮化镓和其他半导体材料对比上图中我们可以看到,氮化镓比硅禁带宽度大3倍,击穿场强高1

    2023-5-2
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  • 为什么禁带宽度越大,正偏复合电流越大

    产生复合电流和禁带宽度。禁带宽度是指一个带隙宽度,固体中电子的能量是不可以连续取值的,禁带宽度越大,正偏复合电流越大是因为产生复合电流和禁带宽度导致的,复合电流是穿越空间电荷区时发生复合的电子与空穴所产生的正偏pn结电流。禁带宽度对于半导体

    2023-5-2
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  • 为什么禁带宽度越大,正偏复合电流越大

    产生复合电流和禁带宽度。禁带宽度是指一个带隙宽度,固体中电子的能量是不可以连续取值的,禁带宽度越大,正偏复合电流越大是因为产生复合电流和禁带宽度导致的,复合电流是穿越空间电荷区时发生复合的电子与空穴所产生的正偏pn结电流。禁带宽度对于半导体

    2023-5-2
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  • InGaAs,AlGaAs,GaAsP,GaN的禁带宽度是多少

    GaN的禁带宽度约为3.4,其他要看具体材料组分配比,比如Al(0.31)Ga(0.69)As的禁带宽度经计算约为1.9074,激射波长为650nm。需要找到具体材料体系的计算公式就可以计算出相应材料禁带宽度和激射波长。铝砷化镓(GaAlA

    2023-5-2
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  • 半导体的禁带宽度大小对它的用途有何影响请举例说明

    禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大,它直接决定着器件的耐压和最高工作温度;比如氮化镓禁带宽度很大,即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带,这样就能继续发挥半导体作用,同理因为跃迁能量较大,所以GaN更难被击穿,因此常

    2023-5-2
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  • 半导体的禁带宽度大小对它的用途有何影响请举例说明

    禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大,它直接决定着器件的耐压和最高工作温度;比如氮化镓禁带宽度很大,即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带,这样就能继续发挥半导体作用,同理因为跃迁能量较大,所以GaN更难被击穿,因此常

    2023-5-1
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  • 什么是大信号和小信号

    “大信号和小信号”是相对于放大器的动态范围来说的信号分类,是两个不同层面或角度上对放大器特性的描述。任何实际器件都不是理想线性的,特别是在其整个动态范围内。如果将信号(或讨论)的范围限制在整个动态范围中相对较小且近似线性的范围内,剥离直流偏

    2023-5-1
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  • 哪位大侠知道SEM照片照出来很白是什么原因呢?

    第一,样品导电,则就对比度问题;第二,样品不导电,或样品过多,或喷金量不够,这时需要喷金时间需要加长,而且样品量最好肉眼略可见即可;第三,样品放在液态导电胶中。查看原帖&gt&gt拍蛋白胶用什么成像系统,最常用的成像技术

    2023-5-1
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  • 半导体的禁带宽度大小对它的用途有何影响请举例说明

    禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大,它直接决定着器件的耐压和最高工作温度;比如氮化镓禁带宽度很大,即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带,这样就能继续发挥半导体作用,同理因为跃迁能量较大,所以GaN更难被击穿,因此常

    2023-5-1
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  • 囊式滤芯的规格和特点有哪些?精度一般为多少?

    囊式过滤器也称为一体式过滤器,采用折叠式进口滤膜,过滤表面积大,适合较大体积溶液的过滤。这种滤器的外表聚丙烯材料,不含粘合剂和其它化学物质,保证不污染样品。滤器有不同孔径可供选择,并且可以进行高压灭菌。材质: 滤材: (PP、PES、PTF

    2023-5-1
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  • 光纤光栅的主要特点

    光纤光栅具有体积小、波长选择性好、不受非线性效应影响、极化不敏感、易于与光纤系统连接、便于使用和维护、带宽范围大、附加损耗小、器件微型化、耦合性好、可与其他光纤器件融成一体等特性,而且光纤光栅制作工艺比较成熟,易于形成规模生产,成本低,因此

    2023-4-30
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