背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的，所以原子序数大的原子越大，弹性碰撞的概率越大，所以原子序数大的背散射电子强度的大；二次电子是从样品表面发射的电子，跟原子序数没关系，跟样品的表面形态有关，因为撞击角度90度是二次电子基本么有，倾斜

可以有3个方法：1，制样的时候将样品倾斜放置。2，用倾斜样品台制样，有些SEM样品台配有30，45,60度倾斜的样品台。3，高级的SEM，可以讲探头本身倾斜，从而获得大角度的SEM图1、首先要看你氧化石墨烯的质量怎么样，要是插层不够充分，石

可以有3个方法：1，制样的时候将样品倾斜放置。2，用倾斜样品台制样，有些SEM样品台配有30，45,60度倾斜的样品台。3，高级的SEM，可以讲探头本身倾斜，从而获得大角度的SEM图不是。SEM对样品的要求。1、不会被电子束分解。2、在电子

可以有3个方法：1，制样的时候将样品倾斜放置。2，用倾斜样品台制样，有些SEM样品台配有30，45,60度倾斜的样品台。3，高级的SEM，可以讲探头本身倾斜，从而获得大角度的SEM图SEM的主要用途是：1、带来更多的点击与关注；2、带来更多

可以有3个方法：1，制样的时候将样品倾斜放置。2，用倾斜样品台制样，有些SEM样品台配有30，45,60度倾斜的样品台。3，高级的SEM，可以讲探头本身倾斜，从而获得大角度的SEM图1、首先要看你氧化石墨烯的质量怎么样，要是插层不够充分，石

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通常按晶界之间的倾角将晶界分成以下类型：小角度晶界θ＝0°→3～10°中角度晶界θ＝3°→10～15°大角度晶界θ＞15°。如果二晶体之间的取向差很小，则形成小角度晶界。大角度晶界和小角度晶界的区分主要看相邻两个晶粒之间夹角的大小。一般说

1 划痕较浅, 腐蚀后划痕明显了2 软质金属, 抛光中应力导致表面形变遮挡划痕, 腐蚀后显现3 不是划痕比如轧钢等线状分布的组织, 比如铜上线状分布的滑移线等我觉得总得来说是你的技术还是有问题。磨制的前保证样品和砂纸清洁，不要使劲用力按，要

可以有3个方法：1，制样的时候将样品倾斜放置。2，用倾斜样品台制样，有些SEM样品台配有30，45,60度倾斜的样品台。3，高级的SEM，可以讲探头本身倾斜，从而获得大角度的SEM图调整样品台倾斜角度！一种所谓机械对中样品台在这个调解过程中

我来解释一下，距离分辨力和带宽在数值上成反比，即带宽越大距离分辨力的值约小，但实际上分辨力的值越小表示能区分两个目标的能力越强，所以距离分辨力就越高。容易混淆的点为数值的大小刚好与分辨能力的强弱相反。雷达距离分辨力为c(2B)。雷达在距

可以有3个方法：1，制样的时候将样品倾斜放置。2，用倾斜样品台制样，有些SEM样品台配有30，45,60度倾斜的样品台。3，高级的SEM，可以讲探头本身倾斜，从而获得大角度的SEM图调整样品台倾斜角度！一种所谓机械对中样品台在这个调解过程中

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通常按晶界之间的倾角将晶界分成以下类型：小角度晶界θ＝0°→3～10°中角度晶界θ＝3°→10～15°大角度晶界θ＞15°。如果二晶体之间的取向差很小，则形成小角度晶界。大角度晶界和小角度晶界的区分主要看相邻两个晶粒之间夹角的大小。一般说

雷达距离分辨力为c(2B)。雷达在距离上区分邻近目标的能力，通常以最小可分辨的距离间隔来度量。雷达距离分辨力约为c(2B)。c为光速；B为雷达信号带宽。雷达脉冲宽度若为1微秒,在无脉内调制时信号带宽为1兆赫,则距离分辨力约150米；

关键是聚焦，高倍聚焦，低倍成像。再就是调节对比度亮度得到一幅清晰的图像。 如果比较了解电镜的话，还要调节像散，对中等等之类的。SEM想清楚这个要自己多试条件，不同的电压、扫描速度、工作距离都是会影响图片清晰度的，当然条件确认的情况下，就是

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可以有3个方法：1，制样的时候将样品倾斜放置。2，用倾斜样品台制样，有些SEM样品台配有30，45,60度倾斜的样品台。3，高级的SEM，可以讲探头本身倾斜，从而获得大角度的SEM图不是。SEM对样品的要求。1、不会被电子束分解。2、在电子

不是。SEM对样品的要求。1、不会被电子束分解。2、在电子束扫描下热稳定性要好。3、能提供导电和导热通道。4、大小与厚度要适于样品台的安装。5、观察面应该清洁，无污染物。6、进行微区成分分析的表面应平整。7、磁性试样要预先去磁，以免观察时电