哪位大侠可以解释一下，为什么SEM和TEM的图不一致呢？

这个差异有点大可能是制备扫描样品时，样品团聚造成的，而透射可能是样品分散可以做个对比实验，制备扫描样品时，也采用透射的方法，滴在玻璃片上或是硅片上，再看看形貌，来判断一下什么原因造成的形貌差异

为了阐明蚀刻残留物的形成机理，研究了氯/氦-氧、溴化氢/氦-氧和溴化氢/氯等不同气体混合物的影响，我们发现，在氧的存在下，蚀刻残留物形成良好，这表明蚀刻残留物是由氧和非挥发性卤化硅化合物的反应引起的，湿法清洗和干法蚀刻清洗工艺被用于去除多晶硅蚀刻残留物，这可能影响电特性和进一步的器件工艺。XPS结果表明，湿法清洗适用于蚀刻残留物的去除。

本文利用HBr/Cl/He-O2反应气体对多晶硅进行反应离子蚀刻后，利用X射线光电子能谱(XPS)和电子显微镜(SEM)对表面形成的杯状流层进行了研究，为了查明蚀刻残留物的形成机制，从原来的混合气体成分中分别排除一种成分的反应气体，观察了其效果。同时，为了消除使用HBr/CI/He-O2混合气体冷却后形成的残留层，引入了湿法和干式工艺进行了比较。

你的镀膜喷的是什么金属，金，pt，Pt/Pa，还是Ir？如果是Au，Pt的可以用王水溶掉吧我没做过，只是猜测。至于镀层厚度，要看你的具体情况了，几个nm到十几个nm都有。如果你做能谱可能要薄一点，如果想观察到清晰图像，不被样品的二次电子干扰，可能就要厚一点。

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