三案一册包括航空安保运行于册吗

包括航空安保运行手册。

投标供应商资格

1、符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；

2、本项目不接受联合体投标；

3、投标人存在以下不良信用记录情形之一的，不得推荐为中标候选人，不得确定为中标供人：

(1）投标人被人民法院列入失信被执行人的；

(2）投标人被工商行政管理部门列入企业经营异常名录的；

3）投标人被税务部门列入重大税收违法案件当事人名单的；

（4）投标人被政府采购监管部门列入政府采购严重违法失信行为记录名单的。

4、须具备独立法人资格，具有民用运输机场场道施工资质，并在人员、设备、资金等方面具有相应的履约能力；

5、业绩要求：有类似行业承包经验或具备其他机场项目承包服务经验(须提供合同复印件并加盖公章)。

从搜索触发广告到形成转化，各环节所产生的各项数据，将是竞价员优化帐户的重点。下面一起来看都有那些指标：

1、关键词

关键词是您精心挑选的、用以定位潜在客户的字词。

网民在百度搜索时会使用一些特定的字词，称之为搜索词。

这些搜索词体现了网民对信息的需求，可能涵盖了工作、生活的方方面面，您可以将其中蕴含商业价值的字词挑选出来，作为关键词提交到搜索推广系统中。

在网民搜索感兴趣的产品/服务时，系统会自动挑选符合网民需求的关键词，将其对应的创意展现在网民面前

2、展现

在网民搜索时，如果您的账户内符合网民搜索需求的关键词被触发，该关键词所对应的创意将出现在搜索结果页，称之为关键词和创意的一次展现。在同一次搜索中，如果网民通过翻页查看了多个搜索结果页面，则系统将根据关键词和创意的实际展现次数进行计次。

3、排名

推广排名是指您的推广结果展现在网民面前时的排位。一般来说，排名越靠前，推广结果就越能吸引网民的关注，为您带来更多的潜在客户访问，同时有助于加深网民对您的网站、品牌的印象。在预算允许范围内，建议您尽量保持较靠前排名。

4、关键词质量度

质量度分主要受到预估点击率、业务相关性和着陆页体验三个维度的影响。

5、点击

点击是访客被您帐户中关键词、创意吸引时，点击进入您网站的操作。

6、点击价格

点击价格是指您为网民的点击访问所支付的实际推广费用。百度计费机制为您尽可能地节省预算，使实际点击价格不超过您的出价，一些情况下甚至可能远低于您的出价。您为一次点击所支付的推广费用实际上是维持当前推广排名所需的最低费用。

点击价格是由您和其他客户的排名关系、出价、质量度等因素共同决定的，对于同一账户内的同一关键词，在您的出价不变的情况下，由于以上因素随时可能发生变动，同一关键词在不同时刻的点击价格可能是不同的。

7、预算

每日预算即您每天愿意支付的最高推广费用。在当天的点击费用总额（消费）达到您设定的预算值后，经一定的系统刷新时间，您的推广结果会自动下线，网民搜索时不再展现您的推广结果。

您可以为搜索推广账户设置每日预算，或者为不同推广计划分配不同的预算，管控更加灵活科学。

8、创意

创意是指网民搜索触发您的推广结果时，展现在网民面前的推广内容，包括标题、描述，以及访问URL和显示URL。

9、出价

出价即您愿意为一次点击所支付的最高费用。百度计费机制保证实际点击价格不超过您的出价，一些情况下甚至可能远低于您的出价，为您尽可能地节省推广预算。

10、URL

对于访问URL，请确保是您的账户推广的网站上可以正常访问的页面，并指向包含推广结果中所提供的信息的网页，否则可能无法通过审核。

对于显示URL，其主域名必须与账户推广的网站的域名保持一致。例如，zhidao.baidu.com的主域名是baidu.com，则显示URL必须为xxx.baidu.com的形式。系统默认选择您的网站完整域名（如 www.baidu.com ）作为显示URL。

11、匹配方式

在网民搜索时，系统会自动挑选对应的关键词，将推广结果展现在网民面前。您可以通过设置匹配方式，来决定网民搜索词与关键词之间可能的对应关系。

12、帐户结构

搜索推广的账户结构由账户、推广计划、推广单元和关键词/创意四个层级构成，且推广单元由多对多关键词列表和创意列表构成，如下图：

(帐户结构)

13、推广地域

为百度搜索推广账户和推广计划设置推广地域后，只有当该地域的网民搜索时，才会出现您的推广结果。不同的推广计划可以面向不同的地域推广，从地理位置角度精准定位您的潜在客户。

您选择的推广地域可以是地区，如华北地区，也可以是省份和直辖市，如湖北省，北京市。如果您希望面向全部潜在客户推广您的产品/业务，建议您选择全部地域。

14、创意展现样式

百度搜索推广为您提供了两种不同的创意展现方式：优选和轮替，您可以在推广计划中的“修改设置”中进行选择。

15、点击率

点击率=点击次数/展现次数

16、抵达率

抵达率是点击推广广告后成功进入的比率。

抵达率=访问次数/点击量，所以在百度推广中抵达率越高，说明通过广告找到符合其初步搜索意向的网民越多。

17、跳出率

跳出率是指在只访问了入口页面（例如网站首页）就离开的访问量与所产生总访问量的百分比。

18、帐户优化

优化泛指您以提升推广效果为目的，对推广方案进行调整的过程。优化的具体目的取决于您的推广目的，但归根结底可以称之为在一定的投入下取得更好的效果，提高投资回报率。

19、转化率

转化率（Take Rates，又叫Conversions Rates），是指在一个统计周期内，完成转化行为的次数占推广信息总点击次数的比率。

计算公式：网站转化率=进行了相应的动作的访问量/总访问量。

指标意义：衡量网站内容对访问者的吸引程度以及网站的宣传效果。

20、转化

转化即指潜在客户完成一次您期望的行动，与您的推广目的和对推广效果的定义密切相关。

转化可能指潜在客户：

1.在网站上停留了一定的时间

2.浏览了网站上的特定页面，如注册页面，“联系我们”页面

3.在网站上注册或提交订单

4.通过百度商机中心、网站留言或网站在线即时通讯工具进行咨询

5.通过电话进行咨询

6.上门访问、咨询、洽谈

7.实际付款、成交（特别是对于电子商务类网站）

您的推广目的可能是多方面的，并随着您的公司、业务发展阶段而不断调整，相应的，对推广效果和转化的定义可能不止一种，且不断调整。

21、转化成本

转化成本=投入资金/转化个数

转化个数的定义很多，有关键词对话成本，预约个数，线索条数，确认成本，成交（到诊）个数；

1、转化率=订单量/点击量。从这个公式可以分析，转化率是由两个因素共同决定的，一个是订单量，一个是点击量，并且这两个因素成反比关系。这个公式可以很清晰的知道具体转化率是多少。

2、cpc=利润*转化率。从这个公式分析，关键词的出价cpc是由产品的利润和转化率共同决定的

切记：企业不能为了追求咨询量或者订单量，不断的提高预算。企业一定要控制住好竞价的转化成本。

22、投资回报率

投资回报率（ROI）是竞价帐户的投入产出比，用于衡量帐户投放是否盈利。

网民通过搜索触发广告主投放关键词，百度展现广告主创意，网民透过（点击）有吸引力的创意，到达广告主网站，寻求自身需求，了解（浏览）产品后，达成消费（转化）。

在网民的各动作点，产生的反映，均反暴露出各层级的问题，通过数据分析，优化各项指标及素材，达到最高的投入产出比，提升转化，降低成本，扩大营业额。

小鹿系列竞价软件覆盖百度、360、搜狗、神马四大搜索平台，采用独创的竞价算法，智能精准出价，一键批量查排名，根据关键词位置实时调整出价，降低出价虚高，稳定排名，节省企业预算。

太阳能硅片表面等离子体清洗工艺

硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉。 去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易，清洗彻底，无反应物残留，所霈工艺气体无毒，成本低，劳动量小，工作效率高。

等离子硅片清洗条件参数：

1、硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉；所用气体选自02、Ar、N2中的任一种；气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，时间1-5s启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力1040毫托，工艺气体流量100-500sccm，上电极功率250-400W，时间1-10s。

2、如1所述的等离子体清洗方法，其特征在于所用气体为02。

3、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss。

4、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，时间1-5s启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，上电极功率250-400W，时闾1-5s。

5、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss

说 明 书

等离子清洗涉及刻蚀工艺领域，并且完全满足去除刻蚀工艺后硅片表面残

留颗粒的清洗。

背景技术

在刻蚀过程中，颗粒的来源很多：刻蚀用气体如Cl2、HBr、CF4等都具有腐蚀性，刻蚀结束后会在硅片表面产生一定数量的颗粒；反应室的石英盖也会在等离子体的轰击作用下产生石英颗粒；反应室内的内衬( liner)也会在较长时间的刻蚀过程中产生金属颗粒。刻蚀后硅片表面残留的颗粒会阻碍导电连接，导致器件损坏。因此，在刻蚀工艺过程中对颗粒的控制很重要。

目前，常用的去除硅片表面颗粒的方法有两种：一种是标准清洗( RCA)清洗技术，另一种是用硅片清洗机进行兆声清洗。RCA清洗技术所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统。其清洗工序为：一号液( SC-1)(NH40H+H202)—，稀释的HF(DHF)(HF+H20)—，二号液( SC-2)(HCl+ H202)。其中，SC．1主要是去除颗粒沾污（粒子），也能去除部分金属杂质。去除颗粒的原理为：硅片表面由于H202氧化作用生成氧化膜（约6nm，呈亲水性），该氧化膜又被NH40H腐蚀，腐蚀后立即发生氧他，氧化和腐蚀反复进行，附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。自然氧化膜约0.6nm厚，与NH40H和H202的浓度及清洗液温度无关。SC-2是用H202和HCL的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与未被氧化的金属作用生成盐，并随去离子水冲洗而被去除，被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。RCA清洗技术存在以下缺陷：需要人工操作，劳动量大，操作环境危险；工艺复杂，清洗时间长，生产效率低；清洗溶剂长期浸泡容易对硅片过腐蚀或留下水痕，影响器件性能；清洗剂和超净水消耗量大，生产成本高；去除

粒子效果较好，但去除金属杂质Al、Fe效果欠佳。

用硅片清洗机进行兆声清洗是将硅片吸附在静电卡盘( chuck)上，清洗过程中硅片不断旋转，清洗液喷淋在硅片表面。可以进行不同转速和喷淋时间的设置，连续完成多步清洗步骤。典型工艺为：兆声_氨水+双氧水（可以进行加温）_水洗_盐酸+双氧水-水洗_兆声一甩干。

用硅片清洗机进行兆声清洗的缺陷表现为：只能进行单片清洗，单片清洗时间长，导致生产效率较低；清洗剂和超净水消耗量大，生产成本高。

等离子清洗硅片表面颗粒原理：

等离子体清洗方法的原理为：依靠处于“等离子态”的物质的“活化作用，，达到去除物体表面颗粒的目的。它通常包括以下过程：a．无机气体被激发到等离子态；b．气相物质被吸附在固体表面；c．被吸附基团与固体表面分子反应生成产物分子；d．产物分子解析形成气相；e．反应残余物脱离表面。

等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗（purge）流程，然后进行该气体等离子体启辉。

所用工艺气体选自02、Ar、N2中的任一种。优选地，所用工艺气体选

02。

以上所述的等离子体清洗方法，氕体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，时间1-5s；启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，上电极功率250-400W，时间1-10s。

优选地，气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，时间1-5s启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，上电极功率250-400W，时间1.Ss。

更优选地，气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss。

等离子清洗硅片后效果：

本发明所述的去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易，清洗彻底，无反应物残留，所需工艺气体无毒，成本低，劳动量小，工作效率高。

附图说明

图1等离子体清洗前后的CD-SEM（关键尺寸量测仪器）图片；

其中，CD: Criticaldimension关键尺寸。

图2等离子体清洗前后的FE-SEM（场发射显微镜）图片；

其中，FE: field emission场发射。

图3等离子体清洗前后的particle（粒子）图片。

在进行完BT（break through自然氧化层去除步骤）、ME（Main Etch主刻步骤）、OE（过刻步骤）的刻蚀过程后，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：首先，进行02的清洗过程，去除上一步的残留气体，腔室压力设置为15毫托，02流量为300sccm，通气时间为3s然后，进行含有02的启辉过程：腔室压力设置为15毫托，02流量为300sccm，上RF的功率设置为300W．启辉时间为Ss。

采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒。

在进行完BT、ME、OE的刻蚀过程后，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：首先，进行Ar的清洗过程，去除上一步的残留气体，腔室压力设置为10毫托，Ar流量为100sccm，通气时间为Ss然后，进行含有Ar的启辉过程：腔室压力设置为10毫托，Ar流量为100sccm，上RF的功率设置为400W，启辉时间为10s。

采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒。

在进行完BT、ME、OE的刻蚀过程后，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：首先，进行N2的清洗过程，去除上一步的残留气体，腔室压力设置为40毫托，N2流量为500sccm，通气时间为Ss然后，进行含有N2的启辉过程：腔室压力设置为40毫托，N2流量为500sccm，上RF的功率设置为250W，启辉时间为10s。

采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒。

南京世锋科技等离子研究中心 QQ283加588加329

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