高倍透射显微镜如何解释暴露的晶面

晶面有条纹与格子，这两种晶面会出现哪一种要看电子入射方向晶体面的夹角，如果夹角不合适可能只出现一种晶面的衍射。

简单的一维棒状和管状，纳米线之类的通过TEM就能确定复杂一些的，通过SEM观察其形貌画出其几何模型再通过TEM表征，确定可能的晶面计算晶面间二面角，确认是否和SEM比TEM观测到的图像及几何模型吻合，这样就能推出各个面的晶面指数。

硅片一般分正面和背面，正面印正银，背面印背银和背铝，烘干烧结后可以使用并测试。光伏用的硅片表面不能有线痕，这种工艺在切割时就定型，用途太阳能发电。而半导体硅片在切割时，硅片两面都有线痕，经抛光研磨后成晶圆，再上光刻胶。

很多纳米管、线等都是在类似的基体上生长，然后直接SEM观察。换句话说，只有纳米材料才会考虑用抛光硅片做样品载台。微米亚微米级别的，浪费，直接双面导电胶带粘即可。抛光是研磨后进一步平整漆面，除去研磨残余条纹，抛光剂使漆面光泽度自然呈现。抛光有很多种，有机械抛光、化学抛光、电解抛光、超声波抛光、流体抛光、磁研磨抛光。