差异和优劣:
1、点源直径不同及优劣：
钨灯丝电子枪阴极使用0.1mm直径的钨丝制成V形（发叉式钨丝阴极）,使用V形的尖端作为点发射源,曲率半径大约为0.1mm；场发射电子枪阴极使用0.1mm直径的钨丝,经过腐蚀制成针状的尖阴极,一般曲率半径在100nm~1μm之间.由于制作工艺上的差异,造价不同,发叉式钨丝阴极便宜,场发射阴极很贵.
2、发射机制不同和优劣
钨灯丝属于热发射,在灯丝电极加直流电压,钨丝发热,使用温度一般在2600K~2800K之间,钨丝有很高的电子发射效率,温度越高电流密度越大,理想情况下的的电子枪亮度越高.由于材料的蒸发速度随温度升高而急剧上升,因此钨灯丝的寿命比较短,一般在50~200小时之间,这个和设定的灯丝温度有关.由于电子发射温度高,发射的电子能量分散度大,一般2ev,电子枪引起的色差会比较大.
场发射电子枪主要的发射机制不是靠加热阴极,而是在尖阴极表面增加强电场,从而降低阴极材料的表面势垒,并且可以使得表面势垒宽度变窄到纳米尺度,从而出现量子隧道效应,在常温甚至在低温下,大量低能电子通过隧道发射到真空中,由于阴极材料温度低,一般材料不会损失,因此寿命很长,可使用上万小时.
3、电子枪控制方式和电子源直径不同和优劣性.
钨灯丝是三极自给偏压控制,具有偏压负反馈电路,因此发射电流稳定度高；由于阴极发射点源面积大,因此电子源尺寸也比较大,50~100μm,发射可达几十~150μA,但电子枪的亮度低,因此当电子束斑聚焦到几个纳米的时候,总的探针电流很小,信噪比太低是限制图像分辨率的根本因素,当前最佳钨灯丝扫描电镜最佳分辨率3.0nm.
场发射电子枪没有偏压负反馈电路,外界电源的稳定度是决定因素,发射电流稳定度相比要低一些；由于尖阴极发射电源面积很小100nm左右,没有明显的电子源,因此使用虚电子源作为电子光学系统设计的初始物而存在,电子虚源直径一般在2~20nm,电子枪亮度相比钨灯丝提高上千倍.当束斑尺寸缩小到1nm以下时依然具有足够强的探针电流来获得足够的成像信号,因此分辨率高,当前最佳的场发射扫描电镜分辨率实现了亚纳米级别.
4、系统真空度不同及优劣
钨灯丝扫描电镜使用一般的高真空,两级真空泵系统获得0.001pa的真空度即可满足,因此造价低.
场发射扫描电镜使用超高真空,需要三级真空泵必须获得0.0000001Pa以上的真空度才可以稳定工作.原因在于电子枪尖阴极不耐较低的真空中被电离的离子轰击,否则枪尖很容易被扫平而失效,这时候的性能还不如钨灯丝,其次电子枪阴极尖端在较低的真空下,吸附的气体分子会急剧加大阴极材料的表面势垒,造成电子枪发射不稳,亮度降低,所以必须使用超高真空一般是10的-8次方.超高真空系统的造价明显比钨灯丝高很多.超高真空的洁净度要好于钨灯丝的一般高真空,因此很长时间,也就是在灯丝寿命内,系统可以免清洗和维护.钨灯丝扫描电镜相对维护周期要短一些.
5、钨灯丝和场发射是具有明显档次差异的,这也从价格上明确反映.钨灯丝扫描电镜十几万,场发射几十万,都是美元.国内目前只能制造最低档次的钨灯丝扫描电镜.
以上定性表达,具体数据还望查阅有关资料
sem 在PCB 行业里的讲法很多种, 举三个例子:pcb 设计：sem = surface electro minor.
设备上： sem = surface electro mounting
功能性：sem = semiconductor
这个还是蛮多的吧、题主所说的金相实验室可以开展的业务很多，简单的说，一方面可以自己搞研究，另外可以为兄弟单位提供科研方便，最后可以给企业生产提供指导。给企业指导或者鉴定一般是通过金相组织来调整工艺，鉴定是通过金相来进行失效分析，分析是供应商还是客户使用的问题，比如铸钢可以看下是不是由于供应商产品质量不过关造成的时效等。大型的设备主要是电镜（SEM、TEM等），小的设备包括光镜，抛光机之类的辅助设备。
1.扫描电镜SEM，可以做金相，失效分析，对企业的产品进行工艺指导，有些有资质的的实验室可以出具有法律效应的鉴定。
2.透射电镜TEM：这个主要是面向高校和科研院所的，比如某些单位需要深入研究材料的性能，可能要用到透射，还有些学校透射电镜资源紧张，往往会委托别的单位实验室进行实验观察。
3.X射线衍射仪XRD，不知道这个和题主说的金相是不是特别相关，也算是一个非常重要的检测手段，分析物相用的比较多；
4.普通金相光镜：用计算机控制，可以拍摄金相图片，如果没有扫描电镜，也可以替代扫描照片，现在比较好的光镜拍1500倍的也可以。我们平时SEM不好约实验的话就先去光镜拍一下，大概看下组织。做过晶粒度分析之类的。
5.金相制备辅助设备：什么抛光啊，电解抛光啊这类的小设备。
不知道是不是有误，仅供参考。谢谢
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