00 . 已显示系统的配置;即将控制INI19引导装入。 .
01 处理器测试1,处理器状态核实,如果测试失败,循环是无限的。 处理器寄存器的测试即将开始,不可屏蔽中断即将停用。 CPU寄存器测试正在进行或者失败。
02 确定诊断的类型(正常或者制造)。如果键盘缓冲器含有数据就会失效。 停用不可屏蔽中断;通过延迟开始。 CMOS写入/读出正在进行或者失灵。
03 清除8042键盘控制器,发出TESTKBRD命令(AAH) 通电延迟已完成。 ROM BIOS检查部件正在进行或失灵。
04 使8042键盘控制器复位,核实TESTKBRD。 键盘控制器软复位/通电测试。 可编程间隔计时器的测试正在进行或失灵。
05 如果不断重复制造测试1至5,可获得8042控制状态。 已确定软复位/通电;即将启动ROM。 DMA初如准备正在进行或者失灵。
06 使电路片作初始准备,停用视频、奇偶性、DMA电路片,以及清除DMA电路片,所有页面寄存器和CMOS停机字节。 已启动ROM计算ROM BIOS检查总和,以及检查键盘缓冲器是否清除。 DMA初始页面寄存器读/写测试正在进行或失灵。
07 处理器测试2,核实CPU寄存器的工作。 ROM BIOS检查总和正常,键盘缓冲器已清除,向键盘发出BAT(基本保证测试)命令。 .
08 使CMOS计时器作初始准备,正常的更新计时器的循环。 已向键盘发出BAT命令,即将写入BAT命令。 RAM更新检验正在进行或失灵。
09 EPROM检查总和且必须等于零才通过。 核实键盘的基本保证测试,接着核实键盘命令字节。 第一个64K RAM测试正在进行。
0A 使视频接口作初始准备。 发出键盘命令字节代码,即将写入命令字节数据。 第一个64K RAM芯片或数据线失灵,移位。
0B 测试8254通道0。 写入键盘控制器命令字节,即将发出引脚23和24的封锁/解锁命令。 第一个64K RAM奇/偶逻辑失灵。
0C 测试8254通道1。 键盘控制器引脚23、24已封锁/解锁;已发出NOP命令。 第一个64K RAN的地址线故障。
0D 1、检查CPU速度是否与系统时钟相匹配。2、检查控制芯片已编程值是否符合初设置。3、视频通道测试,如果失败,则鸣喇叭。 已处理NOP命令;接着测试CMOS停开寄存器。 第一个64K RAM的奇偶性失灵
0E 测试CMOS停机字节。 CMOS停开寄存器读/写测试;将计算CMOS检查总和。 初始化输入/输出端口地址。
0F 测试扩展的CMOS。 已计算CMOS检查总和写入诊断字节;CMOS开始初始准备。 .
10 测试DMA通道0。 CMOS已作初始准备,CMOS状态寄存器即将为日期和时间作初始准备。 第一个64K RAM第0位故障。
11 测试DMA通道1。 CMOS状态寄存器已作初始准备,即将停用DMA和中断控制器。 第一个64DK RAM第1位故障。
12 测试DMA页面寄存器。 停用DMA控制器1以及中断控制器1和2;即将视频显示器并使端口B作初始准备。 第一个64DK RAM第2位故障。
13 测试8741键盘控制器接口。 视频显示器已停用,端口B已作初始准备;即将开始电路片初始化/存储器自动检测。 第一个64DK RAM第3位故障。
14 测试存储器更新触发电路。 电路片初始化/存储器处自动检测结束;8254计时器测试即将开始。 第一个64DK RAM第4位故障。
15 测试开头64K的系统存储器。 第2通道计时器测试了一半;8254第2通道计时器即将完成测试。 第一个64DK RAM第5位故障。
16 建立8259所用的中断矢量表。 第2通道计时器测试结束;8254第1通道计时器即将完成测试。 第一个64DK RAM第6位故障。
17 调准视频输入/输出工作,若装有视频BIOS则启用。 第1通道计时器测试结束;8254第0通道计时器即将完成测试。 第一个64DK RAM第7位故障。
18 测试视频存储器,如果安装选用的视频BIOS通过,由可绕过。 第0通道计时器测试结束;即将开始更新存储器。 第一个64DK RAM第8位故障。
19 测试第1通道的中断控制器(8259)屏蔽位。 已开始更新存储器,接着将完成存储器的更新。 第一个64DK RAM第9位故障。
1A 测试第2通道的中断控制器(8259)屏蔽位。 正在触发存储器更新线路,即将检查15微秒通/断时间。 第一个64DK RAM第10位故障。
1B 测试CMOS电池电平。 完成存储器更新时间30微秒测试;即将开始基本的64K存储器测试。 第一个64DK RAM第11位故障。
1C 测试CMOS检查总和。 . 第一个64DK RAM第12位故障。
1D 调定CMOS配置。 . 第一个64DK RAM第13位故障。
1E 测定系统存储器的大小,并且把它和CMOS值比较。 . 第一个64DK RAM第14位故障。
1F 测试64K存储器至最高640K。 . 第一个64DK RAM第15位故障。
20 测量固定的8259中断位。 开始基本的64K存储器测试;即将测试地址线。 从属DMA寄存器测试正在进行或失灵。
21 维持不可屏蔽中断(NMI)位(奇偶性或输入/输出通道的检查)。 通过地址线测试;即将触发奇偶性。 主DMA寄存器测试正在进行或失灵。
22 测试8259的中断功能。 结束触发奇偶性;将开始串行数据读/写测试。 主中断屏蔽寄存器测试正在进行或失灵。
23 测试保护方式8086虚拟方式和8086页面方式。 基本的64K串行数据读/写测试正常;即将开始中断矢量初始化之前的任何调节。 从属中断屏蔽存器测试正在进行或失灵。
24 测定1MB以上的扩展存储器。 矢量初始化之前的任何调节完成,即将开始中断矢量的初始准备。 设置ES段地址寄存器注册表到内存高端。
25 测试除头一个64K之后的所有存储器。 完成中断矢量初始准备;将为旋转式断续开始读出8042的输入/输出端口。 装入中断矢量正在进行或失灵。
26 测试保护方式的例外情况。 读出8042的输入/输出端口;即将为旋转式断续开始使全局数据作初始准备。 开启A20地址线;使之参入寻址。
27 确定超高速缓冲存储器的控制或屏蔽RAM。 全1数据初始准备结束;接着将进行中断矢量之后的任何初始准备。 键盘控制器测试正在进行或失灵。
28 确定超高速缓冲存储器的控制或者特别的8042键盘控制器。 完成中断矢量之后的初始准备;即将调定单色方式。 CMOS电源故障/检查总和计算正在进行。
29 . 已调定单色方式,即将调定彩色方式。 CMOS配置有效性的检查正在进行。
2A 使键盘控制器作初始准备。 已调定彩色方式,即将进行ROM测试前的触发奇偶性。 置空64K基本内存。
2B 使磁碟驱动器和控制器作初始准备。 触发奇偶性结束;即将控制任选的视频ROM检查前所需的任何调节。 屏幕存储器测试正在进行或失灵。
2C 检查串行端口,并使之作初始准备。 完成视频ROM控制之前的处理;即将查看任选的视频ROM并加以控制。 屏幕初始准备正在进行或失灵。
2D 检测并行端口,并使之作初始准备。 已完成任选的视频ROM控制,即将进行视频ROM回复控制之后任何其他处理的控制。 屏幕回扫测试正在进行或失灵。
2E 使硬磁盘驱动器和控制器作初始准备。 从视频ROM控制之后的处理复原;如果没有发现EGA/VGA就要进行显示器存储器读/写测试。 检测视频ROM正在进行。
2F 检测数学协处理器,并使之作初始准备。 没发现EGA/VGA;即将开始显示器存储器读/写测试。 .
30 建立基本内存和扩展内存。 通过显示器存储器读/写测试;即将进行扫描检查。 认为屏幕是可以工作的。
31 检测从C800:0至EFFF:0的选用ROM,并使之作初始准备。 显示器存储器读/写测试或扫描检查失败,即将进行另一种显示器存储器读/写测试。 单色监视器是可以工作的。
32 对主板上COM/LTP/FDD/声音设备等I/O芯片编程使之适合设置值。 通过另一种显示器存储器读/写测试;却将进行另一种显示器扫描检查。 彩色监视器(40列)是可以工作的。
33 . 视频显示器检查结束;将开始利用调节开关和实际插卡检验显示器的关型。 彩色监视器(80列)是可以工作的。
34 . 已检验显示器适配器;接着将调定显示方式。 计时器滴答声中断测试正在进行或失灵。
35 . 完成调定显示方式;即将检查BIOS ROM的数据区。 停机测试正在进行或失灵。
36 . 已检查BIOS ROM数据区;即将调定通电信息的游标。 门电路中A-20失灵。
37 . 识别通电信息的游标调定已完成;即将显示通电信息。 保护方式中的意外中断。
38 . 完成显示通电信息;即将读出新的游标位置。 RAM测试正在进行或者地址故障>FFFFH。
39 . 已读出保存游标位置,即将显示引用信息串。 .
3A . 引用信息串显示结束;即将显示发现信息。 间隔计时器通道2测试或失灵。
3B 用OPTI电路片(只是486)使辅助超高速缓冲存储器作初始准备。 已显示发现<ESC>信息;虚拟方式,存储器测试即将开始。 按日计算的日历时钟测试正在进行或失灵。
3C 建立允许进入CMOS设置的标志。 . 串行端口测试正在进行或失灵。
3D 初始化键盘/PS2鼠标/PNP设备及总内存节点。 . 并行端口测试正在进行或失灵。
3E 尝试打开L2高速缓存。 . 数学协处理器测试正在进行或失灵。
40 . 已开始准备虚拟方式的测试;即将从视频存储器来检验。 调整CPU速度,使之与外围时钟精确匹配。
41 中断已打开,将初始化数据以便于0:0检测内存变换(中断控制器或内存不良) 从视频存储器检验之后复原;即将准备描述符表。 系统插件板选择失灵。
42 显示窗口进入SETUP。 描述符表已准备好;即将进行虚拟方式作存储器测试。 扩展CMOS RAM故障。
43 若是即插即用BIOS,则串口、并口初始化。 进入虚拟方式;即将为诊断方式实现中断。 .
44 . 已实现中断(如已接通诊断开关;即将使数据作初始准备以检查存储器在0:0返转。) BIOS中断进行初始化。
45 初始化数学协处理器。 数据已作初始准备;即将检查存储器在0:0返转以及找出系统存储器的规模。 .
46 . 测试存储器已返回;存储器大小计算完毕,即将写入页面来测试存储器。 检查只读存储器ROM版本。
47 . 即将在扩展的存储器试写页面;即将基本640K存储器写入页面。 .
48 . 已将基本存储器写入页面;即将确定1MB以上的存储器。 视频检查,CMOS重新配置。
49 . 找出1BM以下的存储器并检验;即将确定1MB以上的存储器。 .
4A . 找出1MB以上的存储器并检验;即将检查BIOS ROM数据区。 进行视频的初始化。
4B . BIOS ROM数据区的检验结束,即将检查<ESC>和为软复位清除1MB以上的存储器。 .
4C . 清除1MB以上的存储器(软复位)即将清除1MB以上的存储器. 屏蔽视频BIOS ROM。.
4D 已清除1MB以上的存储器(软复位);将保存存储器的大小。 .
4E 若检测到有错误;在显示器上显示错误信息,并等待客户按<F1>键继续。 开始存储器的测试:(无软复位);即将显示第一个64K存储器的测试。 显示版权信息。
4F 读写软、硬盘数据,进行DOS引导。 开始显示存储器的大小,正在测试存储器将使之更新;将进行串行和随机的存储器测试。 .
50 将当前BIOS监时区内的CMOS值存到CMOS中。 完成1MB以下的存储器测试;即将高速存储器的大小以便再定位和掩蔽。 将CPU类型和速度送到屏幕。
51 . 测试1MB以上的存储器。 .
52 所有ISA只读存储器ROM进行初始化,最终给PCI分配IRQ号等初始化工作。 已完成1MB以上的存储器测试;即将准备回到实址方式。 进入键盘检测。
53 如果不是即插即用BIOS,则初始化串口、并口和设置时种值。 保存CPU寄存器和存储器的大小,将进入实址方式。 .
54 . 成功地开启实址方式;即将复原准备停机时保存的寄存器。 扫描“打击键”
55 . 寄存器已复原,将停用门电路A-20的地址线。 .
56 . 成功地停用A-20的地址线;即将检查BIOS ROM数据区。 键盘测试结束。
57 . BIOS ROM数据区检查了一半;继续进行。 .
58 . BIOS ROM的数据区检查结束;将清除发现<ESC>信息。 非设置中断测试。
59 . 已清除<ESC>信息;信息已显示;即将开始DMA和中断控制器的测试。 .
5A . . 显示按“F2”键进行设置。
5B . . 测试基本内存地址。
5C . . 测试640K基本内存。
60 设置硬盘引导扇区病毒保护功能。 通过DMA页面寄存器的测试;即将检验视频存储器。 测试扩展内存。
61 显示系统配置表。 视频存储器检验结束;即将进行DMA#1基本寄存器的测试。 .
62 开始用中断19H进行系统引导。 通过DMA#1基本寄存器的测试;即将进行DMA#2寄存器的测试。 测试扩展内存地址线。
63 . 通过DMA#2基本寄存器的测试;即将检查BIOS ROM数据区。 .
64 . BIOS ROM数据区检查了一半,继续进行。 .
65 . BIOS ROM数据区检查结束;将把DMA装置1和2编程。 .
66 . DMA装置1和2编程结束;即将使用59号中断控制器作初始准备。 Cache注册表进行优化配置。
67 . 8259初始准备已结束;即将开始键盘测试。 .
68 . . 使外部Cache和CPU内部Cache都工作。
6A . . 测试并显示外部Cache值。
6C . . 显示被屏蔽内容。
6E . . 显示附属配置信息。
70 . . 检测到的错误代码送到屏幕显示。
72 . . 检测配置有否错误。
74 . . 测试实时时钟。
76 . . 扫查键盘错误。
7A . . 锁键盘。
7C . . 设置硬件中断矢量。
7E . . 测试有否安装数学处理器。
80 . 键盘测试开始,正在清除和检查有没有键卡住,即将使键盘复原。 关闭可编程输入/输出设备。
81 . 找出键盘复原的错误卡住的键;即将发出键盘控制端口的测试命令。 .
82 . 键盘控制器接口测试结束,即将写入命令字节和使循环缓冲器作初始准备。 检测和安装固定RS232接口(串口)。
83 . 已写入命令字节,已完成全局数据的初始准备;即将检查有没有键锁住。 .
84 . 已检查有没有锁住的键,即将检查存储器是否与CMOS失配。 检测和安装固定并行口。
85 . 已检查存储器的大小;即将显示软错误和口令或旁通安排。 .
86 . 已检查口令;即将进行旁通安排前的编程。 重新打开可编程I/O设备和检测固定I/O是否有冲突。
87 . 完成安排前的编程;将进行CMOS安排的编程。 .
88 . 从CMOS安排程序复原清除屏幕;即将进行后面的编程。 初始化BIOS数据区。
89 . 完成安排后的编程;即将显示通电屏幕信息。 .
8A . 显示头一个屏幕信息。 进行扩展BIOS数据区初始化。
8B . 显示了信息:即将屏蔽主要和视频BIOS。 .
8C . 成功地屏蔽主要和视频BIOS,将开始CMOS后的安排任选项的编程。 进行软驱控制器初始化。
8D . 已经安排任选项编程,接着检查滑了鼠和进行初始准备。 .
8E . 检测了滑鼠以及完成初始准备;即将把硬、软磁盘复位。 .
8F . 软磁盘已检查,该磁碟将作初始准备,随后配备软磁碟。 .
90 . 软磁碟配置结束;将测试硬磁碟的存在。 硬盘控制器进行初始化。
91 . 硬磁碟存在测试结束;随后配置硬磁碟。 局部总线硬盘控制器初始化。
92 . 硬磁碟配置完成;即将检查BIOS ROM的数据区。 跳转到用户路径2。
93 . BIOS ROM的数据区已检查一半;继续进行。 .
94 . BIOS ROM的数据区检查完毕,即调定基本和扩展存储器的大小。 关闭A-20地址线。
95 . 因应滑鼠和硬磁碟47型支持而调节好存储器的大小;即将检验显示存储器。 .
96 . 检验显示存储器后复原;即将进行C800:0任选ROM控制之前的初始准备。 “ES段”注册表清除。
97 . C800:0任选ROM控制之前的任何初始准备结束,接着进行任选ROM的检查及控制。 .
98 . 任选ROM的控制完成;即将进行任选ROM回复控制之后所需的任何处理。 查找ROM选择。
99 . 任选ROM测试之后所需的任何初始准备结束;即将建立计时器的数据区或打印机基本地址。 .
9A . 调定计时器和打印机基本地址后的返回操作;即调定RS-232基本地址。 屏蔽ROM选择。
9B . 在RS-232基本地址之后返回;即将进行协处理器测试之初始准备。 .
9C . 协处理器测试之前所需初始准备结束;接着使协处理器作初始准备。 建立电源节能管理。
9D . 协处理器作好初始准备,即将进行协处理器测试之后的任何初始准备。 .
9E . 完成协处理器之后的初始准备,将检查扩展键盘,键盘识别符,以及数字锁定。 开放硬件中断。
9F . 已检查扩展键盘,调定识别标志,数字锁接通或断开,将发出键盘识别命令。 .
A0 . 发出键盘识别命令;即将使键盘识别标志复原。 设置时间和日期。
A1 . 键盘识别标志复原;接着进行高速缓冲存储器的测试。 .
A2 . 高速缓冲存储器测试结束;即将显示任何软错误。 检查键盘锁。
A3 . 软错误显示完毕;即将调定键盘打击的速率。 .
A4 . 调好键盘的打击速率,即将制订存储器的等待状态。 键盘重复输入速率的初始化。
A5 . 存储器等候状态制定完毕;接着将清除屏幕。 .
A6 . 屏幕已清除;即将启动奇偶性和不可屏蔽中断。 .
A7 . 已启用不可屏蔽中断和奇偶性;即将进行控制任选的ROM在E000:0之所需的任何初始准备。 .
A8 . 控制ROM在E000:0之前的初始准备结束,接着将控制E000:0之后所需的任何初始准备。 清除“F2”键提示。
A9 . 从控制E000:0 ROM返回,即将进行控制E000:0任选ROM之后所需的任何初始准备。 .
AA . 在E000:0控制任选ROM之后的初始准备结束;即将显示系统的配置。 扫描“F2”键打击。
AC . . 进入设置.
AE . . 清除通电自检标志。
B0 . . 检查非关键性错误。
B2 . . 通电自检完成准备进入操作系统引导。
B4 . . 蜂鸣器响一声。
B6 . . 检测密码设置(可选)。
B8 . . 清除全部描述表。
BC . . 清除校验检查值。
BE 程序缺省值进入控制芯片,符合可调制二进制缺省值表。 . 清除屏幕(可选)。
BF 测试CMOS建立值。 . 检测病毒,提示做资料备份。
C0 初始化高速缓存。 . 用中断19试引导。
C1 内存自检。 . 查找引导扇区中的“55”“AA”标记。
C3 第一个256K内存测试。 . .
C5 从ROM内复制BIOS进行快速自检。 . .
C6 高速缓存自检。 . .
CA 检测Micronies超速缓冲存储器(如果存在),并使之作初始准备。 . .
CC 关断不可屏蔽中断处理器。 . .
EE 处理器意料不到的例外情况。 . .
FF 给予INI19引导装入程序的控制
您好,应该是SMSService,这个是杀毒软件误报,之前腾讯管家有误报的情况,不过腾讯已经更新病毒库解决了。建议您可以安装一个腾讯管家试试,看看报不报错误。
您也可以更新金山的病毒库试一下,如果不行,请告知手机型号,和金山的病毒库版本,我们去和金山公司沟通一下此事。
希望以上答复对您有所帮助,感谢您对天语产品的支持~
如果为了提高DRAM的存储容量而提高集成度,那么当然要减少连接到FET的电容器的容量,所以用于存储的电荷量也将随之减少。随着容量的减少,数据的正确读取将变得困难,除此之外,还会存在由于α射线而破坏存储的问题。在射线中,α射线虽然是氦的原子核,但如果它飞人DRAM的电容器部分,则电荷将消减,存储将丢失,这称为软错误。翻译成“软错误”应该是没有问题的。
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