本文利用HBr/Cl/He-O2反应气体对多晶硅进行反应离子蚀刻后,利用X射线光电子能谱(XPS)和电子显微镜(SEM)对表面形成的杯状流层进行了研究,为了查明蚀刻残留物的形成机制,从原来的混合气体成分中分别排除一种成分的反应气体,观察了其效果。同时,为了消除使用HBr/CI/He-O2混合气体冷却后形成的残留层,引入了湿法和干式工艺进行了比较。
检查硅片表面残留的涂层或均匀薄膜。扫描电镜SEM是介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观性貌观察手段,可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。测sem时的硅片的作用检查硅片表面残留的涂层或均匀薄膜,硅片是生产集成电路、分立器件、传感器等半导体产品的关键材料,是半导体产业链基础性的一环。欢迎分享,转载请注明来源:夏雨云
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