拍SEM照片,材料喷过金的表面如何去除?

拍SEM照片,材料喷过金的表面如何去除?,第1张

你的镀膜喷的是什么金属,金,pt,Pt/Pa,还是Ir?如果是Au,Pt的可以用王水溶掉吧我没做过,只是猜测。至于镀层厚度,要看你的具体情况了,几个nm到十几个nm都有。如果你做能谱可能要薄一点,如果想观察到清晰图像,不被样品的二次电子干扰,可能就要厚一点。

应该是自然干燥或者在烘箱中干燥,不能再用水淋洗,用氮气吹可能会把样品吹落。

Si线可能有导电性,但也需要用导电胶带固定。用帖有双面导电胶带的样品杯按压一下硅片,把样品转移到样品杯上。

为了阐明蚀刻残留物的形成机理,研究了氯/氦-氧、溴化氢/氦-氧和溴化氢/氯等不同气体混合物的影响,我们发现,在氧的存在下,蚀刻残留物形成良好,这表明蚀刻残留物是由氧和非挥发性卤化硅化合物的反应引起的,湿法清洗和干法蚀刻清洗工艺被用于去除多晶硅蚀刻残留物,这可能影响电特性和进一步的器件工艺。XPS结果表明,湿法清洗适用于蚀刻残留物的去除。

本文利用HBr/Cl/He-O2反应气体对多晶硅进行反应离子蚀刻后,利用X射线光电子能谱(XPS)和电子显微镜(SEM)对表面形成的杯状流层进行了研究,为了查明蚀刻残留物的形成机制,从原来的混合气体成分中分别排除一种成分的反应气体,观察了其效果。同时,为了消除使用HBr/CI/He-O2混合气体冷却后形成的残留层,引入了湿法和干式工艺进行了比较。


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