能否实现热伏效应，热能直接转换成电能

光伏效应都可以，热伏效应为什么不可以只是还没有找到材料而已。采用磁控溅射技术在石英衬底上沉积1层200nm厚的非晶硅 (a-Si)薄膜,并用真空热蒸发在其上沉积两个横向接触的厚度不同(分别为50和100nm)的Al膜.将已沉积好的薄膜在N2气氛中600℃下退火 45min,得到两个横向接触的具有不同晶化程度的纳米晶硅(nc-si)薄膜.利用X射线衍射(XRD)、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和 透射电子显微镜(TEM)研究了所制备样品的结构特性.由较厚Al膜诱导的nc-Si薄膜的Si晶粒平均尺寸为25nm,晶化率为56%由较薄Al膜诱 导的nc-Si薄膜的Si晶粒平均尺寸为15nm,晶化率为23%.实验发现在没有温度梯度的情况下,这两个不同晶化程度的nc-Si薄膜之间具有横向热 伏效应.温度为273K时,其开路电压为1.2mV,短路电流为40nA当温度达到373K时,其开路电压达到25mV,短路电流达到1.171μA.

二氧化锡电级

二氧化锡（SnO2）电极广泛应用于高档光学玻璃的熔炼以及电解铝行业，二氧化锡电级尤其适用于火石类玻璃、钡火石、钡冕，以及重冕玻璃等的熔炼，且对玻璃不产生污染。此项成果已通过河南省科技厅组织的专家鉴定，整体性能指标在国内处于领先水平，二氧化锡电级主要指标已达到国际先进水平。

SnO2 电极性能技术指标

1、体积密度 6.38-6.58g/cm3

2、抗弯强度

室 温 1155kg/cm2

1000℃ 641kg/cm2

1200℃ 166kg/cm2

1400℃ 95kg/cm2

3、电阻率 (Ω· cm)

室 温 93

400℃ 6.1000

600℃ 1.4000

800℃ 0.0200

900℃ 0.0150

1000℃ 0.0098

1100℃ 0.0084

4、抗钠钙玻璃侵蚀速率 (mm/h)

1000℃ 0.53 x 10-3

1100℃ 0.63 x 10-3

5、热膨胀率 (1200℃ )

0.69%

SnO2为N型半导体结构,是一种优良的气敏和湿敏材料.介绍了纳米SnO2的主要用途以及电弧气相法、溶胶-凝胶法、水热反应法和机械化学法等制备技术,探讨了SnO2的气敏机理,包括晶体尺寸效应和掺杂效应,并指出了纳米SnO2的发展前景.

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