谁能给我讲解一下SEM和TEM的区别，详细一点

最主要的区别是：SEM是通过反射的方式采集信号

TEM是通过透射的方式采集信号

1、样品属性大概必须都是固体，干燥、无油、尽量导电。TEM获得材料某个剖面的组织形态，sem获得的是材料表面或者是断面的组织形态。透射电镜不可以看表面形貌，而扫描电镜所观察的断面或者表面的组织形态可以间接表征材料的内部某个剖面的的组织形态。TEM分辨率高，可以观察原子晶格像，而扫描电镜分辨率低，最多只能表征由几十或者几百个原子形成的纳米相--可以叫做晶粒或者功能团。

2、扫描电镜制备简单，可直接观察样品表面或者断面；TEM样品制备复杂精细，材料必须用专用制样设备，制备成几个微米甚至100nm厚度的薄片

3、材料有里有面，全方位了解材料的微观组织结构需要从低倍到高倍的表征。

介孔Pt纤维。左起依次是场发射扫描式电子显微镜、高分辨率扫描式电子显微镜、透射电子显微镜拍摄的照片。

楼主看出用途的差别了吗？

照片a 只能用扫描看，不能用透射。照片b和c是照片a中的一个纤维，可以用扫描也可以用透射观察！有差别但很相似

SEM，EDS，XRD的区别，SEM是扫描电镜，EDS是扫描电镜上配搭的一个用于微区分析成分的配件——能谱仪。能谱仪(EDS,Energy Dispersive Spectrometer)是用来对材料微区成分元素种类与含量分析，配合扫描电子显微镜与透射电子显微镜的使用。XRD是X射线衍射仪，是用于物相分析的检测设备。

扫描电子显微镜（scanning electron microscope，SEM，图2-17、18、19）于20世纪60年 代问世，用来观察标本的表面结构。其工作原理是用一束极细的电子束扫描样品，在样品表面激发出次级电子，次级电子的多少与电子束入射角有关，也就是说与样 品的表面结构有关，次级电子由探测体收集，并在那里被闪烁器转变为光信号，再经光电倍增管和放大器转变为电信号来控制荧光屏上电子束的强度，显示出与电子 束同步的扫描图像。图像为立体形象，反映了标本的表面结构。为了使标本表面发射出次级电子，标本在固定、脱水后，要喷涂上一层重金属微粒，重金属在电子束 的轰击下发出次级电子信号。 目前扫描电镜的分辨力为6~10nm，人眼能够区别荧光屏上两个相距0.2mm的光点，则扫描电镜的最大有效放大倍率为0.2mm/10nm=20000X。

EDS的原理是各种元素具有自己的X射线特征波长，特征波长的大小则取决于能级跃迁过程中释放出的特征能量△E，能谱仪就是利用不同元素X射线光子特征能量不同这一特点来进行成分分析的。使用范围：

1、高分子、陶瓷、混凝土、生物、矿物、纤维等无机或有机固体材料分析；

2、金属材料的相分析、成分分析和夹杂物形态成分的鉴定；

3、可对固体材料的表面涂层、镀层进行分析，如：金属化膜表面镀层的检测；

4、金银饰品、宝石首饰的鉴别，考古和文物鉴定，以及刑侦鉴定等领域；

5、进行材料表面微区成分的定性和定量分析，在材料表面做元素的面、线、点分布分析。

X射线衍射仪是利用衍射原理，精确测定物质的晶体结构,织构及应力,精确的进行物相分析，定性分析，定量分析。广泛应用于冶金、石油、化工、科研、航空航天、教学、材料生产等领域。

SEM：材料的表面形貌，形貌特征。配合EDX可以获得材料的元素组成信息

TEM：材料的表面形貌，结晶性。配合EDX可以获得材料的元素组成

FTIR：主要用于测试高分子有机材料，确定不同高分子键的存在，确定材料的结构。如单键，双键等等

Raman：通过测定转动能及和振动能及，用来测定材料的结构。

CV：CV曲线可以测试得到很多信息，比如所需电沉积电压，电流，以及半导体行业可以得到直流偏压

EIS：EIS就是电化学交流阻抗谱测试可以得到电极电位，阻抗信息，从而模拟出系统内在串联电阻，并联电阻和电容相关信息

BET：主要是测试材料比表面积的，可以得到材料的比表面积信息。

XRD：主要是测试材料的物性，晶型的。高级的XRD还可以测试材料不同晶型的组分。

质谱：主要用于鉴定材料的化学成分，包括液相质谱，气象质谱

---