sem为什么测不出来锂元素

因为磁透镜进行聚焦成像。如果被测试样磁性较强，轻则干扰成像，重则被测试样粉末被吸附到镜头上，损坏仪器。理论上，磁性是物质的一种属性，任何物质都有磁性。因此要求试样完全没有磁性是不可能的，我们只能要求其磁性小于某一范围。如果是热发射sem磁性要求要低一些，如果是场发射sem，则要求就要严格的多。比如铁，钴，镍为铁系元素，其化合物磁性较强，因而一般不能直接测，所以要将有磁性的材料进行消磁处理就可以了。

觉得首先要明确一个物理概念，即磁场是与电场不同的：用磁力线和电力线直观说明的话，电力线可以通过用接零电位（地）的导电金属层来截断，从而屏蔽隔离；而磁力线却必须是闭合的，总是会形成回路。

所以，对磁场的屏蔽，只能是靠形成短路，绝不能靠截断。故而，，那些指望用什么不锈钢不导磁来阻挡磁场的方法都是笑话。再说，真空都导磁，还有什么不导磁的，大小而已。还要明确下切断磁场几乎是不可能的你可以试下高频磁场的方法用磁场叠加试试

通常屏蔽磁场，多指稳恒磁场或低频磁场，主要靠前面说的“短路”，如楼主的盒子使用高导磁材料制成，则本将穿出盒外的“磁力线”就会集中于盒体材料形成闭合，而漏出盒外的就大为减少。

作为屏蔽效果，材料导磁率越高越好；相同的材料，越厚越好；同样的材料与厚度，分层越多越好。另外，磁铁应当置于屏蔽盒中央，以免某一面的磁力线更集中，漏出去得更多。

要是屏蔽高频磁场，则是用一种方法：用导电良好的材料如金属，利用高频磁场在其上形成交变的电涡流，形成相反的磁场来对消原磁场，实质是两个磁场叠加，在屏蔽外部相消，在屏蔽内部合成新的磁回路。

关于第二点，材料被磁化。导磁材料在磁场里，总是要被磁化的，但除了硬磁材料，一旦外部磁场撤除，则磁性迅即跟随消除。故而，屏蔽材料要是用硬磁材料做成，形成了新的独立磁场，就不好说了，这就是屏蔽只能使用软磁材料的缘故。（要是问，那软磁材料既然在磁场里也会被磁化，又如何完成屏蔽的呢？这就是因为软磁材料的被磁化，以及因此而产生的新磁场强度，完全依外部原场强而变，然后按前面所说的高频磁场屏蔽原理，相消而实现“屏蔽”。“磁力线”是形象说法，本质是场的叠加。）

我认为不可行。材料的腐蚀机理多种多样，有可能是畸变、位错、结构的不均匀性、夹杂等因素导致形成局部腐蚀微电池，你怎么区分腐蚀区域是什么原因造成的，生成的化合物是什么，是几价？每种原因速率肯定不一样，生成的元素含量都会有差别。而且初始厚度是多少怎样确定？加工都会有误差。既然要用到SEM这类仪器，不做到微观层次的分析意义就不大了

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