2、当要使用单晶片和外延片时,只要从仓库按需取出,然后将硅片从塑料袋内小心取出,放入化学瓷坩埚内进行化学清洗,清洗完了最后用去离子水冲净烘干即可使用。
3、如果是化开的小芯片保存,则只要用小烧杯或玻璃培养皿进行超声清洗后再烘干,烘干后如短期存放就直接放在干净的玻璃培养皿内盖上,然后再放入有磨口的玻璃干燥器内。
4、烘干后如长期存放,就在干净玻璃培养皿内放一层定性滤纸,然后在定性滤纸上再放一层小芯片,面上再盖一层干净定性滤纸,接着又放一层小芯片,反正,这样交替叠放,装满为止,最后用配套的玻璃培养皿盖上再放入有磨口的玻璃干燥器内或真空干燥箱内保存。
5、当要使用小芯片时,只需取出用丙酮——乙醇超声机上清洗,最后用去离子水冲净烘干即可使用。
硅片表面的几种处理方法和步骤一、 硅片的预处理:
(1)硅片切割:根据所需大小,用玻璃刀进行硅片的切割。操作时需要在洁净的环境中,并带一次性手套,以避免污染硅片。先在桌面平铺一张干净的称量纸,用镊子小心夹持硅片的边缘,将其正面朝上(光亮面)放于称量纸上;再取一张干净的称量纸覆盖于硅片表面,留出硅片上需要切割的部分;将切割专用的直尺放于覆盖硅片的纸上,用手轻轻压住直尺;直尺应不超过待切割侧的纸面,以防止直尺污染硅片;切割时玻璃刀沿直尺稍用力平行滑动,使用的力量以能在硅片表面形成一清晰的划痕,但不至于将硅片划开为度;如对大块硅片进行横纵向多次切割,即可在硅片表面形成网格;将硅片包裹于称量纸内,(避免手套和硅片表面直接接触)用手沿网格线轻轻掰动即可形成大小合适的小型硅片;将切割好的硅片用镊子小心夹持,放于干净的塑料平皿内,正面朝上,并用封口膜将平皿封好,放于干净处保存待用。
注意:整块硅片取出后严禁放回硅片盒,应另行保存。
二、 硅基片表面的羟基化处理
(2) 在通风橱内,将切割好的小型硅片置于干净的羟化烧杯(专用)中,将其正面朝上,用去离子水清洗3次,清洗时稍用力,使硅片能够在烧杯中旋转起来,以减少硅片之间的摩擦碰撞;将水倒净,立即用移液管(过氧化氢专用)往烧杯中加入5ml过氧化氢(H2O2),然后用移液管(浓硫酸专用)加入15ml浓硫酸(H2SO4),在摇床上缓慢振荡或静置30分钟使之充分反应,此反应可使表面羟基化。倒掉上步反应的液体,用去离子水清洗3次。清洗时稍用力,使硅片能够在烧杯中旋转起来,以减少硅片之间的摩擦碰撞;然后将烧杯口向下倾斜,缓慢转动烧杯,使烧杯壁上的浓硫酸能被洗去。清洗结束后,用大量水保存硅片,并需要使硅片的正面保持朝上。
二、硅基片表面的氨基化处理
(3) 取出氨化烧杯(专用),先用无水乙醇清洗2次,然后倒入20ml无水乙醇,将步骤(2)反应后的获得的羟基化硅片转移到氨化烧杯中,用无水乙醇清洗3次。清洗时同步骤(2),使硅片处于乙醇环境中;清洗完成后倒掉乙醇,迅速加入3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)和无水乙醇的混合液(体积比为1:15),或者先加15ml无水乙醇,然后用移液管加1ml APTES,摇床上振摇反应2 h。该反应结束后可以使硅片表面氨基化。
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