简述利用SEM、TEM、FTIR、Raman、CV、EIS、BET、XRD和质谱可获得什么信息？

SEM：材料的表面形貌，形貌特征。配合EDX可以获得材料的元素组成信息

TEM：材料的表面形貌，结晶性。配合EDX可以获得材料的元素组成

FTIR：主要用于测试高分子有机材料，确定不同高分子键的存在，确定材料的结构。如单键，双键等等

Raman：通过测定转动能及和振动能及，用来测定材料的结构。

CV：CV曲线可以测试得到很多信息，比如所需电沉积电压，电流，以及半导体行业可以得到直流偏压

EIS：EIS就是电化学交流阻抗谱测试可以得到电极电位，阻抗信息，从而模拟出系统内在串联电阻，并联电阻和电容相关信息

BET：主要是测试材料比表面积的，可以得到材料的比表面积信息。

XRD：主要是测试材料的物性，晶型的。高级的XRD还可以测试材料不同晶型的组分。

质谱：主要用于鉴定材料的化学成分，包括液相质谱，气象质谱

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SEM工作时，电子枪发射的入射电子束打在试样表面上，向内部穿透一定的深度，由于弹性和非弹性散射形成一个呈梨状的电子作用体积。电子与试样作用产生的物理信息，均由体积内产生。

二次电子是入射电子在试样内部穿透和散射过程中，将原子的电子轰击出原子系统而射出试样表面的电子，其中大部分属于价子激发，所以能量很小，一般小于50eV。因此二次电子探测体积较小。二次电子发射区的直径仅比束斑直径稍大一些，因而可获得较高的分辨率。

二次电子像的衬度取决于试样上某一点发射出来的二次电子数量。电子发射区越接近表面，发射出的二次电子就越多，这与入射电子束与试样表面法线的夹角有关。试样的棱边、尖峰等处产生的二次电子较多，相应的二次电子像较亮；而平台、凹坑处射出的二次电子较少，相应的二次电子像较暗。根据二次电子像的明暗衬度，即可知道试样表面凹凸不平的状况，二次电子像是试样表面的形貌放大像。

SEM内在试样的斜上方放置有探测器来接受这些电子。接受二次电子的装置简称为检测器，它是由聚焦极、加速极、闪烁体、光导管和光电倍增管组成。在闪烁体前面装一筒装电极，称为聚焦极，又称收集极。在其前端加一栅网，在聚焦极上加250-300V的正电压。二次电子被此电压吸引，然后又被带有10kV正电压的加速极加速，穿过网眼打在加速极的闪烁体上，产生光信号，经光导管输送到光电倍增管，光信号转变为电子信号。最后输送到显示系统，显示出二次电子像。

复电阻率（CR）法测得的频谱包含了由导电性引起的近场区电磁谱（SEM）和由电极化性引起的激电谱（SIP），两种谱在频带上占据不同的位置。可用数学物理模型Cole-Cole模型和Cole-Brown模型反演拟合分离，求取多个SEM和SIP谱参数[1，2]。

在复电阻率法中观测到的电磁场（SEM）主要是近区场，场的区间划分依据感应数p的大小进行［3，4］：

电法勘探成果文集

均匀半空间上偶极-偶极排列的电磁相位谱研究表明：当p＜2时为近区场，p=2～7.6时为中区场，p＞7.6为远区场。其中近区场只与距离（r）有关，中区场与距离（r）和频率（f）两个因子有关，远区场仅与频率（f）有关。电偶源的各类电磁法，大多选用远区场工作（如MT法等），只要改变频率就能改变探测深度。复电阻率（CR）法主要为近区场，只有改变极距才能改变探测深度，是一种几何测深。由于近区场电磁谱（SEM）的强度大，并在频带上与SIP谱有部分重叠，在SIP法发展的前期一直把它作为干扰进行消除，SEM谱中包含的地下导电性变化的信息未被利用。通过对SEM谱进行的系统研究与开发，引入了多个重要的SEM参数———电磁电阻率ρω、相位极值比、视电磁充电率比，解决了近区场SEM谱的应用问题，并在实践中获得了较好的地质效果。

正演计算研究和实际应用表明：SEM参数具有明确的物理意义和量纲，与地下导电性结构的量值有关，对导电性目标体的异常响应灵敏度比视几何电阻率（ρS）高2～4倍，几何分辨率小于四分之一偶极距。由于近场区电磁参数主要与极距有关，用它们构成的拟断面是几何测深断面，便于与SIP参数所构成的几何测深断面对比；SEM参数的探测深度趋近于r／2，且受地表导电性不均匀的影响很小。

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