求翻译英语文献，不要翻译器翻译的。

(ii) The white sample was divided into four parts and separately wasobserved by SEM (Leo5420, 10[1]20keV)by TEM (H-7100, 120 keVJEM-4000, 400 keV) and by HRTEM.

(ii) 将白色样品分为四份，分别用扫描电镜（leo5420，10 20 keV）、透射电镜（H-7100，120 keV；JEM -4000，400 keV）和高分辨透射电子显微镜观察。

The compositionof the product was analyzed by energy dispersive X-ray (EDX, JEM-2010).

通过能量分散型X射线（EDX，JEM-2010）分析生成物的成分。

Luminescenceexperiments were carried out by exposing the SiO2 nanowires to X-rayirradiation using a Philips set to deliver a dose of 20 Gy•min−1.

通过飞利浦仪器提供20 Gy•min−1剂量将SiO2纳米线置于X射线照射下进行了发光实验。

Theluminescence emission of the sample was measured using a high-sensitivitymultiplexed system with F/2.2 optics developed.

用开发的带F / 2.2光学器件的高灵敏度多路复用系统测量了样品的荧光发射。

Experimentswere conducted at low (25 240 K, heating rate 6K•min−1)and high (293 673 K, heating rate 50 K•min−1)temperatures.

在低温（25 240 K，加热速率6K•min−1）和高温（293 673 K，50 K•min−1）条件下进行了实验。

2. Results anddiscussion

2。结果与讨论

SEM (fig. 2(a))image reveals the presence of white product on TiSi film.

扫描电镜（图2（a））图像显示TiSi膜上有白色生成物。

Under higherresolution, the white product consists of large quantities of wire-likematerials and these wires are winding, exhibiting smooth surface and uniformdiameter (ca. 40 90 nm).

在更高分辨率的条件下（可以看出），白色生成物由大量的丝状材料构成，且这些线是弯曲的，有光滑的表面和均匀的直径（约40 90 nm）。

Further HRTEMexamination shows that the nanowires are amorphous (fig. 2(c)) and EDX analysesindicate that they consist solely of silicon and oxygen (fig. 2(d)).

用高分辨透射电子显微镜进行进一步检查表明，纳米线为非结晶的（图2（c）），而能谱分析表明，他们只是由硅和氧（图2（d））构成的。

Computeranalyses exhibit that the Si O ratio is 1 2. Therefore, they are very longamorphous SiO2 nanowires.

计算机分析表明，Si与O的比率为1:2。因此，他们是很长的非结晶SiO2纳米线。

D.耐电痕

图5示出了UV处理的样品的跟踪失败的时间。跟踪击穿的时间与在紫外线辐射无力继续的增加而逐渐减小。跟踪失败与放电起始与积碳的形成相关的时间缩短为标本，低接触角。虽然接触角通过UV辐射的降低是非常小的，跟踪击穿的时间急剧地减少。

E.形态和化学分析

SEM ：在老化样品的表面微观结构是由场发射型扫描电子显微镜（HITACHI S- 4300 ）观察到填料被暴露在表面上，但是这并没有效应对样品的表面疏水性，如图所示，图1 。

ATR-FTIR ： Acomonly使用的方法来表征的化学结构是红外（ IR）光谱使用衰减全反射technique.Fig 。图6显示由于ATH 0 -H键岁紫外radiation.Absorptions样品的ATR- FTIR光谱，在甲基基团，硅-CH 3键（侧链）和Si -O- Si键的CH键出现在光谱处女样本，结果发现

所有上述减少与增加的紫外线radiation.The曝光ATH免受紫外线辐射导致的，由扫描电子显微镜显示的持续时间提到的吸收，将是一个主要的原因。然而，它是观察到的CH和Si -CH 3键的降低率是高thanthat为Si -O- Si键。它被暗示紫外线辐射破坏CH andSi -CHL债券除Si -O -Si键的更优先。

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