求大神帮我翻译一篇英文文献：

D.耐电痕

图5示出了UV处理的样品的跟踪失败的时间。跟踪击穿的时间与在紫外线辐射无力继续的增加而逐渐减小。跟踪失败与放电起始与积碳的形成相关的时间缩短为标本，低接触角。虽然接触角通过UV辐射的降低是非常小的，跟踪击穿的时间急剧地减少。

E.形态和化学分析

SEM ：在老化样品的表面微观结构是由场发射型扫描电子显微镜（HITACHI S- 4300 ）观察到填料被暴露在表面上，但是这并没有效应对样品的表面疏水性，如图所示，图1 。

ATR-FTIR ： Acomonly使用的方法来表征的化学结构是红外（ IR）光谱使用衰减全反射technique.Fig 。图6显示由于ATH 0 -H键岁紫外radiation.Absorptions样品的ATR- FTIR光谱，在甲基基团，硅-CH 3键（侧链）和Si -O- Si键的CH键出现在光谱处女样本，结果发现

所有上述减少与增加的紫外线radiation.The曝光ATH免受紫外线辐射导致的，由扫描电子显微镜显示的持续时间提到的吸收，将是一个主要的原因。然而，它是观察到的CH和Si -CH 3键的降低率是高thanthat为Si -O- Si键。它被暗示紫外线辐射破坏CH andSi -CHL债券除Si -O -Si键的更优先。

2.2。材料特征。场发射扫描

电子显微镜（SEM，JEOL6701F）被用来研究

的形貌，样品的颗粒尺寸。透射电子

样品的显微镜和元素的组合物均

通过JEM-2100F（日本电子）测定加上能量分散

X射线检测器（EDX，菲尼克斯）系统。广角和低角度

将作为得到的样品的X射线粉末衍射（XRD）是

记录在日本理学D / MAX-2500与Cu靶辐射（λ=1.54056

Å）运行在40千伏和200毫安。拉曼光谱测量结果

使用来自Thermo Scientific的一个DXR用激光进行

波长为532纳米。来计算孔径分布和

孔体积，氮吸附和脱附等温线

在77.3ķ测定用AUTOSORB-1的比表面积分析仪

从康塔。的N的N掺杂多孔碳含量为

通过使用Flash EA1112 NHC元素分析法测定。

进行热重（TG）分析，S / C复合材料

上TG / DTA6300在N2

流，以获得在S含量

复合材料。

一个四接触方法应用于测量粉末

多孔炭的电子导电性。的粉末样品是

用两个不锈钢柱塞，其压向磁盘在4MPa

阻力在四线吉时利2400数字万用表测量

模式。样品的导电率，根据算出

电阻和盘的尺寸。

通过X射线得到的表面元件的信息

光电子能谱（XPS）对热进行

科学ESCALAB250Xi使用200瓦单色铝Kα

辐射。在500微米的X射线斑点用于XPS分析。该基地

在分析腔室压力为约3×10 -10毫巴。所有

XPS结合能报告的数据是基于已校准

烃Ç1S线从外来碳284.8电子伏特。谱

分别配备了洛伦兹 - 高斯函数和智能背景

使用热爱维稳特软件。

(ii) The white sample was divided intofour parts and separately was observed bySEM (Leo5420, 1020 keV)by TEM(H-7100, 120 keVJEM-4000, 400 keV)and by HRTEM. （2）白色的样品被分成四部分，并用扫描电镜（SEM， Leo5420，10 20keV），透射电镜（(H-7100, 120 keVJEM-4000, 400 keV)以及高分辨率透射电镜（HRTEM）单独进行了观察。The composition of theproduct was analyzed by energy dispersiveX-ray (EDX, JEM-2010).产品的组分用能量分散X射线法（EDX，JEM-2010）进行了分析。 Luminescence experiments were carried out by exposingthe SiO2 nanowires to X-ray irradiation using a Philips set to deliver a dose of 20 Gy·min−1. 发光实验通过将SiO2纳米线暴露于X射线辐射下进行，X射线辐射采用Philips公司的设备提供20 Gy·min−1的剂量The

人工翻译，请放心采纳。

luminescence emission of the sample was measured using a high-sensitivity multiplexed systemwith F/2.2 optics developed.样品的发光发射用一台高灵敏度的、带有所研制的F/2.2光学元件的复用系统进行测量。 Experiments were conducted at low (25240 K, heating rate 6K·min−1) and high (293673 K, heating rate 50 K·min−1) temperatures.实验在低温（25240 K, 加热速率 6K·min−12）和高温(293673 K, 加热速率 50 K·min−1)下进行。 Results and discussion 2.结果和讨论。SEM (fig. 2(a)) image reveals the presence of white product on TiSi film. Under higher resolution,the white product consists of large quantities of wire-like materials and these wires arewinding, exhibiting smooth surface and uniform diameter (ca. 4090 nm).扫描电镜图像揭示了在TiSi薄膜上存在白色产物。在较高分辨率下，白色产物由大量线状的材料构成，这些线是缠绕的，呈现出光滑的表面和均匀的直径（ca.4090 nm). Further HRTEM examination shows that the nanowires are amorphous (fig. 2(c)) and EDX analyses indicate that theyconsist solely of silicon and oxygen (fig. 2(d)). 进一步的HRTEM检验表明，这些纳米线是无定形的（图2（c)），而EDX分析表明，它们仅由硅和氧组成（图2（d)）。Computer analyses exhibit that the SiO ratio is12. Therefore, they are very long amorphous SiO2 nanowires.计算机分析表明，硅、氧的比率是1：2.因此它们是很长的无定形SiO2纳米线。

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