硅片一般分正面和背面,正面印正银,背面印背银和背铝,烘干烧结后可以使用并测试。光伏用的硅片表面不能有线痕,这种工艺在切割时就定型,用途太阳能发电。而半导体硅片在切割时,硅片两面都有线痕,经抛光研磨后成晶圆,再上光刻胶。
很多纳米管、线等都是在类似的基体上生长,然后直接SEM观察。换句话说,只有纳米材料才会考虑用抛光硅片做样品载台。微米亚微米级别的,浪费,直接双面导电胶带粘即可。抛光是研磨后进一步平整漆面,除去研磨残余条纹,抛光剂使漆面光泽度自然呈现。抛光有很多种,有机械抛光、化学抛光、电解抛光、超声波抛光、流体抛光、磁研磨抛光。
针对怎么用SEM看薄膜截断面来回答:献峰科技指出:在Si片上镀一层非晶碳膜(厚度为几十个nm,导电性能较差),用金刚石刀直接切割出试样,然后进行SEM观察,希望得到薄膜的厚度。
第一次去做时表面没有喷金,看到的断面效果也很差,很难清楚的看到薄膜与基体的分界面。
希 望 采 纳 不 足 可 追 问
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