用SEM测超薄薄膜厚度,如何制样才能保证导电性足够好?

用SEM测超薄薄膜厚度,如何制样才能保证导电性足够好?,第1张

想准确测定厚度还是很麻烦的,关键就在于制样,关于镀层或者薄膜厚度的测定有相关标准的,标准名称我不太记得了,改天给你发过来也行(如果需要),大概意思是说在要测的镀层外面再镀一层镍,然后把材料固化在树脂中,再做截面,或者抛光,然后再测定,关键是不要破坏镀层.关于SiO2不导电的问题,喷金或者喷碳就可以解决.

你的镀膜喷的是什么金属,金,pt,Pt/Pa,还是Ir?如果是Au,Pt的可以用王水溶掉吧我没做过,只是猜测。至于镀层厚度,要看你的具体情况了,几个nm到十几个nm都有。如果你做能谱可能要薄一点,如果想观察到清晰图像,不被样品的二次电子干扰,可能就要厚一点。

烧结试样的 SEM 分析采用日本日立公司生产的 S-520 扫描电子显微镜完成。首先将试样的新鲜断裂面在 IB-3 离子溅射渡膜仪中喷渡厚度约为 10 ~20 nm 的金,对结构致密的部分试样断裂面采用 40%浓度的氢氟酸 ( HF) 侵蚀 20min 后进行镀金,然后放入 SEM样品室内进行观察,电子枪电压采用 20kV,电子束流为 150 mA,并用照相方式记录样品的二次电子图像 ( 或称之为形貌像) 。


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