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│ 1│
└—┘0x0000000A:IRQL_NOT_LESS_OR_EQUAL
◆错误分析:主要是由问题的驱动程序、有缺陷或不兼容的硬件与软件造成的. 从技术角度讲. 表明在内核模式中存在以太高的进程内部请求级别(IRQL)访问其没有权限访问的内存地址.
◇解决方案:请用前面介绍的解决方案中的2、3、5、8、9方案尝试排除.
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│ 2│
└—┘0x00000012:TRAP_CAUSE_UNKNOWN
◆错误分析:如果遇到这个错误信息, 那么很不幸, 应为KeBudCheck分析的结果是错误原因未知.
◇解决方案:既然微软都帮不上忙, 就得靠自己了, 请仔细回想这个错误是什么时候出现的第一次发生时你对系统做了哪些操作发生时正在进行什么操作. 从这些信息中找出可能的原因, 从而选择相应解决方案尝试排除.
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│ 3│
└—┘0x0000001A:MEMORY_MANAGEMENT
◆错误分析:这个内存管理错误往往是由硬件引起的, 比如: 新安装的硬件、内存本身有问题等.
◇解决方案:如果是在安装Windows时出现, 有可能是由于你的电脑达不到安装Windows的最小内存和磁盘要求.
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│ 4│
└—┘0x0000001E:KMODE_EXCEPTION_NOT_HANDLED
◆错误分析:Windows内核检查到一个非法或者未知的进程指令, 这个停机码一般是由问题的内存或是与前面0x0000000A相似的原因造成的.
◇解决方案:
(1)硬件兼容有问题:请对照前面提到的最新硬件兼容性列表, 查看所有硬件是否包含在该列表中.
(2)有问题的设备驱动、系统服务或内存冲突和中断冲突: 如果在蓝屏信息中出现了驱动程序的名字, 请试着在安装模式或者故障恢复控制台中禁用或删除驱动程序, 并禁用所有刚安装的驱动和软件. 如果错误出现在系统启动过程中, 请进入安全模式, 将蓝屏信息中所标明的文件重命名或者删除.
(3)如果错误信息中明确指出Win32K.sys: 很有可能是第三方远程控制软件造成的, 需要从故障恢复控制台中将对该软件的服务关闭.
(4)在安装Windows后第一次重启时出现:最大嫌疑可能时系统分区的磁盘空间不足或BIOS兼容有问题.
(5)如果是在关闭某个软件时出现的:很有可能时软件本省存在设计缺陷, 请升级或卸载它
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│ 5│0x00000023:FAT_FILE_SYSTEM
└—┘0x00000024:NTFS_FILE_SYSTEM
◆错误分析:0x00000023通常发生在读写FAT16或者FAT32文件系统的系统分区时, 而0x00000024则是由于NTFS.sys文件出现错误(这个驱动文件的作用是容许系统读写使用NTFS文件系统的磁盘). 这两个蓝屏错误很有可能是磁盘本身存在物理损坏, 或是中断要求封包(IRP)损坏而导致的. 其他原因还包括:硬盘磁盘碎片过多文件读写操作过于频繁, 并且数据量非常达或者是由于一些磁盘镜像软件或杀毒软件引起的.
◇解决方案:
第一步:首先打开命令行提示符, 运行\\"Chkdsk /r\\"(注:不是CHKDISK, 感觉象这个, 但是……)命令检查并修复硬盘错误, 如果报告存在怀道(Bad Track), 请使用硬盘厂商提供的检查工具进行检查和修复.
第二步:接着禁用所有即使扫描文件的软件, 比如:杀毒软件、防火墙或备份工具.
第三步:右击C:\\winnt\\system32\\drivers\\fastfat.sys文件并选择\\"属性\\", 查看其版本是否与当前系统所使用的Windows版本相符.(注:如果是XP, 应该是C:\\windows\\system32\\drivers\\fastfat.sys)
第四步:安装最新的主板驱动程序, 特别IDE驱动. 如果你的光驱、可移动存储器也提供有驱动程序, 最好将它们升级至最新版.
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│ 6│
└—┘0x00000027:RDR_FILE_SYSTEM
◆错误分析:这个错误产生的原因很难判断, 不过Windows内存管理出了问题很可能会导致这个停机码的出现.
◇解决方案:如果是内存管理的缘故, 通常增加内存会解决问题.
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│ 7│
└—┘0x0000002E:DATA_BUS_ERROR
◆错误分析:系统内存存储器奇偶校验产生错误, 通常是因为有缺陷的内存(包括物理内存、二级缓存或者显卡显存)时设备驱动程序访问不存在的内存地址等原因引起的. 另外, 硬盘被病毒或者其他问题所损伤, 以出现这个停机码.
◇解决方案:
(1)检查病毒
(2)使用\\"chkdsk /r\\"命令检查所有磁盘分区.
(3)用Memtest86等内存测试软件检查内存.
(4)检查硬件是否正确安装, 比如:是否牢固、金手指是否有污渍.
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│ 8│
└—┘0x00000035:NO_MORE_IRP_STACK_LOCATIONS
◆错误分析:从字面上理解, 应该时驱动程序或某些软件出现堆栈问题. 其实这个故障的真正原因应该时驱动程序本省存在问题, 或是内存有质量问题.
◇解决方案:请使用前面介绍的常规解决方案中与驱动程序和内存相关的方案进行排除.
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└—┘0x0000003F:NO_MORE_SYSTEM_PTES
◆错误分析:一个与系统内存管理相关的错误, 比如:由于执行了大量的输入/输出操作, 造成内存管理出现问题: 有缺陷的驱动程序不正确地使用内存资源某个应用程序(比如:备份软件)被分配了大量的内核内存等.
◇解决方案:卸载所有最新安装的软件(特别是哪些增强磁盘性能的应用程序和杀毒软件)和驱动程序.
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│10│
└—┘0x00000044:MULTIPLE_IRP_COMPLIETE_REQUESTS
◆错误分析:通常是由硬件驱动程序引起的.
◇解决方案:卸载最近安装的驱动程序. 这个故障很少出现, 目前已经知道的是, 在使用http://www.in-system.com/这家公司的某些软件时会出现, 其中的罪魁就是Falstaff.sys文件.(作者难道不怕吃官司嘛, 把公司网址公布)
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└—┘0x00000050:PAGE_FAULT_IN_NONPAGED+AREA
◆错误分析:有问题的内存(包括屋里内存、二级缓存、显存)、不兼容的软件(主要是远程控制和杀毒软件)、损坏的NTFS卷以及有问题的硬件(比如:PCI插卡本身已损坏)等都会引发这个错误.
◇解决方案:请使用前面介绍的常规解决方案中与内存、软件、硬件、硬盘等相关的方案进行排除.
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└—┘0x00000051:REGISTRY_ERROR
◆错误分析:这个停机码说明注册表或系统配置管理器出现错误, 由于硬盘本身有物理损坏或文件系统存在问题, 从而造成在读取注册文件时出现输入/输出错误.
◇解决方案:使用\\"chkdsk /r\\"检查并修复磁盘错误.
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└—┘0x00000058:FTDISK_INTERNAL_ERROR
◆错误分析:说明在容错集的主驱动发生错误.
◇解决方案:首先尝试重启电脑看是否能解决问题, 如果不行, 则尝试\\"最后一次正确配置\\"进行解决.
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└—┘0x0000005E:CRITICAL_SERVICE_FAILED
◆错误分析:某个非常重要的系统服务启动识别造成的.
◇解决方案:如果是在安装了某个新硬件后出新的, 可以先移除该硬件, 并通过网上列表检查它是否与Windows 2K/XP兼容, 接着启动电脑, 如果蓝屏还是出现, 请使用\\"最后一次正确配置\\"来启动Windows, 如果这样还是失败, 建议进行修复安装或是重装.
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│15│
└—┘0x0000006F:SESSION3_INITIALIZATION-FAILED
◆错误分析:这个错误通常出现在Windows启动时, 一般是由有问题的驱动程序或损坏的系统文件引起的.
◇解决方案:建议使用Windows安装光盘对系统进行修复安装.
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└—┘0x00000076:PROCESS_HAS_LOCKED_PAGES
◆错误分析:通常是因为某个驱动程序在完成了一次输入/输出操作后, 没有正确释放所占有的内存
◇解决方案:
第一步:点击开始-->运行:regedt32, 找到[HKLM\\SYSTEM\\Currentcontrol set\\control\\session manager\\memory management], 在右侧新建双字节值\\"TrackLockedPages\\", 值为1. 这样Windows便会在错误再次出现时跟踪到是哪个驱动程序的问题.
第二步:如果再次出现蓝屏, 那么错误信息会变成:
STOP:0x0000000CB(0xY,0xY,0xY,0xY)DRIVER_LEFT_LOCKED_PAGES_IN_PROCESS
其中第四个\\"0xY\\"会显示为问题驱动程序的名字, 接着对其进行更新或删除.
第三步:进入注册表, 删除添加的\\"TrackLockedPages\\".
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│17│
└—┘0x00000077:KERNEL_STACK_INPAGE_ERROR
◆错误分析:说明需要使用的内核数据没有在虚拟内存或物理内存中找到. 这个错误常常于是着磁盘有问题, 相应数据损坏或受到病毒侵蚀.
◇解决方案:使用杀毒软件扫描系统使用\\"chkdsk /r\\"命令检查并修复磁盘错误, 如不行则使用磁盘厂商提供的工具检查修复.
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└—┘0x0000007A:KERNEL_DATA_INPAGE_ERROR
◆错误分析:这个错误往往是虚拟内存中的内核数据无法读入内存造成的. 原因可能是虚拟内存页面文件中存在坏簇、病毒、磁盘控制器出错、内存有问题.
◇解决方案:首先用升级为最新病毒库杀毒软件查杀病毒, 如果促无信息中还有0xC000009C或0xC000016A代码, 那么表示是坏簇造成的, 并且系统的磁盘检测工具无法自动修复, 这时要进入\\"故障恢复控制台\\", 用\\"chkdsk /r\\"命令进行手动修复.
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└—┘0x0000007B:INACESSIBLE_BOOT_DEVICE
◆错误分析:Windows在启动过程中无法访问系统分区或启动卷. 一般发生在更换主板后第一次启动时, 主要是因为新主板和旧主板的IDE控制器使用了不同芯片组造成的. 有时也可能是病毒或硬盘损伤所引起的.
◇解决方案:一般只要用安装光盘启动电脑, 然后执行修复安装即可解决问题. 对于病毒则可使用DOS版的杀毒软件进行查杀(主战有kv2005DOS版下载). 如果是硬盘本身存在问题, 请将其安装到其他电脑中, 然后使用\\"chkdsk /r\\"来检查并修复磁盘错误.
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└—┘0x0000007E:SYSTEM_THREAD_EXCEPTION_NOT_HANDLED
◆错误分析:系统进程产生错误, 但Windows错误处理器无法捕获. 其产生原因很多, 包括:硬件兼容性、有问题的驱动程序或系统服务、或者是某些软件.
◇解决方案:请使用\\"事件查看器\\"来获取更多的信息, 从中发现错误根源.(发现好像不是解决哦, 看来这里大家要自力更生了!)
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└—┘0x0000007F:UNEXPECTED_KERNEL_MOED_TRAP
◆错误分析:一般是由于有问题的硬件(比如:内存)或某些软件引起的. 有时超频也会产生这个错误.
◇解决方案:用检测软件(比如:Memtest86)检查内存, 如果进行了超频, 请取消超频. 将PCI硬件插卡从主板插槽拔下来, 或更换插槽. 另外, 有些主板(比如:nForce2主板)在进行超频后, 南桥芯片过热也会导致蓝屏, 此时为该芯片单独增加散热片往往可以有效解决问题.
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│22│
└—┘0x00000080:NMI_HARDWARE_FAILURE
◆错误分析:通常是有硬件引起的.(似乎蓝屏与硬件错误有不解之缘)
◇解决方案:如果最近安装了新硬件, 请将其移除, 然后试试更换插槽和安装最新的驱动程序, 如果升级了驱动程序, 请恢复后原来的版本检查内存金手指是否有污染和损坏扫描病毒运行\\"chkdsk /r\\"检查并修复磁盘错误检查所有硬件插卡已经插牢. 如果以上尝试都无效果, 就得找专业的电脑维修公司请求帮助了.
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│23│
└—┘0x0000008E:KERNEL_MODE_EXCEPTION_NOT_HANDLED
◆错误分析:内核级应用程序产生了错误, 但Windows错误处理器没有捕获. 通常是硬件兼容性错误.
◇解决方案:升级驱动程序或升级BIOS.
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└—┘0x0000009C:MACHINE_CHECK_EXCEPTION
◆错误分析:通常是硬件引起的. 一般是因为超频或是硬件存在问题(内存、CPU、总线、电源).
◇解决方案:如果进行了超频, 请降会CPU原来频率, 检查硬件.
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└—┘0x0000009F:DRIVER_POWER_STATE_FAILURE
◆错误分析:往往与电源有关系, 常常发生在与电源相关的操作, 比如:关机、待机或休睡.
◇解决方案:重装系统, 如果不能解决, 请更换电源.
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└—┘0x000000A5:ACPI_BIOS_ERROR
◆错误分析:通常是因为主板BIOS不能全面支持ACPI规范.
◇解决方案:如果没有相应BIOS升级, 那么可在安装Windows 2K/XP时, 当出现\\"press F6 if you need to install a third-party SCSI or RAID driver\\"提示时, 按下F7键, 这样Windows便会自动禁止安装ACPI HAL, 而安装 Standard PC HAL.
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│27│
└—┘0x000000B4:VIDEO_DRIVER_INIT_FAILURE
◆错误分析:这个停止信息表示Windows因为不能启动显卡驱动, 从而无法进入图形界面. 通常是显卡的问题, 或者是存在与显卡的硬件冲突(比如:与并行或串行端口冲突).
◇解决方案:进入安全模式查看问题是否解决, 如果可以, 请升级最新的显卡驱动程序, 如果还不行, 则很可能是显卡与并行端口存在冲突, 需要在安全模式按下WIN+break组合键打开\\"系统属性\\", 在硬件-->设备管理器中找到并双击连接打印的LPT1端口的项, 在\\"资源\\"选项卡中取消\\"使用自动配置\\"的构选, 然后将\\"输入/输出范围\\"的\\"03BC\\"改为\\"0378\\".
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└—┘0x000000BE:ATTEMPTED_WRITE_TO_READONLY_MEMORY
◆错误分析:某个驱动程序试图向只读内存写入数据造成的. 通常是在安装了新的驱动程序, 系统服务或升级了设备的固件程序后.
◇解决方案:如果在错误信息中包含有驱动程序或者服务文件名称, 请根据这个信息将新安装的驱动程序或软件卸载或禁用.
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└—┘0x000000C2:BAD_POOL_CALLER
◆错误分析:一个内核层的进程或驱动程序错误地试图进入内存操作. 通常是驱动程序或存在BUG的软件造成的.
◇解决方案:请参考前面介绍的常规解决方案相关项目进行排除.
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└—┘0x000000CE:DRIVER_UNLOADED_WITHOUT_CANCELLING_PENDING_OPERATIONS
◆错误分析:通常是由有问题的驱动程序或系统服务造成的.
◇解决方案:请参考前面介绍的常规解决方案相关项目进行排除.
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└—┘0x000000D1:DRIVER_IRQL_NOT_LESS_OR_EQUAL
◆错误分析:通常是由有问题的驱动程序引起的(比如罗技鼠标的Logitech MouseWare 9.10和9.24版驱动程序会引发这个故障). 同时,有缺陷的内存、 损坏的虚拟内存文件、 某些软件(比如多媒体软件、杀毒软件、备份软件、DVD播放软件)等也会导致这个错误.
◇解决方案:检查最新安装或升级的驱动程序(如果蓝屏中出现\\"acpi.sys\\"等类似文件名, 可以非常肯定时驱动程序问题)和软件测试内存是否存在问题进入\\"故障恢复控制台\\", 转到虚拟内存页面文件Pagefile.sys所在?
测试一下。1.文献上面说自己得到的MOFs材料的孔隙率有多大,自己的孔道直径有多少。。。可是我亲自把其cif下载下来亲自测量发现直径没有文献说的那么大!不知道怎么才算直径?2.文献上面计算的孔隙率 应该是把结构中的所有溶剂分子删除掉再用platon计算的吧?好像有的cif下载下来自己用platon计算的结果跟文献很有出入。
MOFs金属有机骨架(MOFs)是由含氧、氮等的多齿有机配体(大多是芳香多酸和多碱)与过渡金属离子自组装而成的配位聚合物。早在20世纪90年代中期,第一类MOFs就被合成出来,但其孔隙率和化学稳定性都不高。因此,科学家开始研究新型的阳离子、阴离子以及中性的配位体形成的配位聚合物。目前,已经有大量的金属有机骨架材料被合成,主要是以含羧基有机阴离子配体为主,或与含氮杂环有机中性配体共同使用。这些金属有机骨架中多数都具有高的孔隙率和好的化学稳定性。
由于能控制孔的结构并且比表面积大,MOFs比其它的多孔材料有更广泛的应用前景,如吸附分离H 、催化剂、磁性材料 和光学材料 等。另外,MOFs作为一种超低密度多孔材料,在存储大量的甲烷 和氢等燃料气方面有很大的潜力,将为下一代交通工具提供方便的能源。
近年来,新能源汽车和移动电子设备的发展日新月异,锂离子电池(LIBs)由于具有环境友好、能量密度高和循环寿命长等优点,在新能源的开发与利用等领域占有重要的地位。锂离子电池的电极材料在充放电反应的过程中会发生体积变化,导致发生粉化而降低锂离子电池的循环稳定性,也会存在一定的安全隐患。为了更好的应用到实际生活中,需要提高锂离子电池在能量密度、耐久性和倍率等方面的性能,所以新型电极材料的开发与应用对于锂离子电池的发展是至关重要的。金属有机配位聚合物是由中心金属离子与有机配体以自组装的方式在配位键的作用下形成的配合物,其独特的骨架结构和大的比表面积有利于锂离子在电极材料中进行嵌入与脱出。本文采取水热法一步制备了三种金属有机配位聚合物,通过与石墨烯复合和高温烧结两种方式来提高配合物的导电性和循环稳定性。进行表征和电化学测试后的结果如下:以铜和镍作为主要配位中心,采用水热法成功合成了三种金属有机配合物(其中两种有单晶结构)。一种是铜锂双金属配位聚合物,其分子式为C_2H_8CuLi_2O_9P_2(命名为HPCuLi)另一种是镍基的金属配位聚合物,其分子式为C_(18)H_(28)Ni_4O_(25)(命名为BTCNi)。分别使用单晶X射线衍射仪(S-XRD)、粉末X射线衍射仪(P-XRD)、电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和热重(TG)等测试手段对这3种配合物的结构、形貌和组成进行分析,将三种配合物分别作为负极材料,组装成纽扣电池测试电化学性能。HPCuLi在50 mA/g的电流密度下经过100次循环后的充电比容量为164.9 mAh/gHPNi在100 mA/g的电流密度下经过100次循环后的充电比容量为158.9mAh/gBTCNi在100 mA/g的电流密度下经过100次循环后的充电比容量为462mAh/g,BTCNi在三种配合物中表现出最好的电化学性能。HPCuLi通过与石墨烯复合得到HPCuLi/G复合材料。石墨烯的层状结构和良好的导电性提高了HPCuLi的电化学性能,使复合材料的电池性能和倍率性能更好。HPCuLi/G作为负极组装的纽扣电池显示在50 mA/g的电流密度下循环100次后可保持369.5 mAh/g的充电比容量,并且在800 mA/g的电流密度下还可以保持167.1mAh/g的充电比容量。将HPNi和BTCNi两种镍基配合物在不同温度下进行热处理得到氧化物。在空气条件下,分别在400℃、500℃和600℃的高温条件下进行2小时煅烧,随着煅烧温度的上升配合物的表面发生变化,有机配体不断分解提供碳源,提高了氧化物的导电性。在500℃的空气条件下得到的氧化物有较好的循环稳定性和倍率性能,HPNi500在100 mA/g的电流密度下循环150次后仍可保持466.5 mAh/g的充电比容量,说明以MOFs材料为牺牲模板得到的氧化镍表现出较好的电化学性能BTCNi500在100 mA/g的电流密度下循环50次后可保持907.3 mAh/g的充电比容量,说明单质镍与氧化镍的协同效应使电极材料可以保持较高的充电比容量。欢迎分享,转载请注明来源:夏雨云
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