硅片一般分正面和背面,正面印正银,背面印背银和背铝,烘干烧结后可以使用并测试。光伏用的硅片表面不能有线痕,这种工艺在切割时就定型,用途太阳能发电。而半导体硅片在切割时,硅片两面都有线痕,经抛光研磨后成晶圆,再上光刻胶。
很多纳米管、线等都是在类似的基体上生长,然后直接SEM观察。换句话说,只有纳米材料才会考虑用抛光硅片做样品载台。微米亚微米级别的,浪费,直接双面导电胶带粘即可。抛光是研磨后进一步平整漆面,除去研磨残余条纹,抛光剂使漆面光泽度自然呈现。抛光有很多种,有机械抛光、化学抛光、电解抛光、超声波抛光、流体抛光、磁研磨抛光。
硅片表面的几种处理方法和步骤一、 硅片的预处理:
(1)硅片切割:根据所需大小,用玻璃刀进行硅片的切割。操作时需要在洁净的环境中,并带一次性手套,以避免污染硅片。先在桌面平铺一张干净的称量纸,用镊子小心夹持硅片的边缘,将其正面朝上(光亮面)放于称量纸上;再取一张干净的称量纸覆盖于硅片表面,留出硅片上需要切割的部分;将切割专用的直尺放于覆盖硅片的纸上,用手轻轻压住直尺;直尺应不超过待切割侧的纸面,以防止直尺污染硅片;切割时玻璃刀沿直尺稍用力平行滑动,使用的力量以能在硅片表面形成一清晰的划痕,但不至于将硅片划开为度;如对大块硅片进行横纵向多次切割,即可在硅片表面形成网格;将硅片包裹于称量纸内,(避免手套和硅片表面直接接触)用手沿网格线轻轻掰动即可形成大小合适的小型硅片;将切割好的硅片用镊子小心夹持,放于干净的塑料平皿内,正面朝上,并用封口膜将平皿封好,放于干净处保存待用。
注意:整块硅片取出后严禁放回硅片盒,应另行保存。
二、 硅基片表面的羟基化处理
(2) 在通风橱内,将切割好的小型硅片置于干净的羟化烧杯(专用)中,将其正面朝上,用去离子水清洗3次,清洗时稍用力,使硅片能够在烧杯中旋转起来,以减少硅片之间的摩擦碰撞;将水倒净,立即用移液管(过氧化氢专用)往烧杯中加入5ml过氧化氢(H2O2),然后用移液管(浓硫酸专用)加入15ml浓硫酸(H2SO4),在摇床上缓慢振荡或静置30分钟使之充分反应,此反应可使表面羟基化。倒掉上步反应的液体,用去离子水清洗3次。清洗时稍用力,使硅片能够在烧杯中旋转起来,以减少硅片之间的摩擦碰撞;然后将烧杯口向下倾斜,缓慢转动烧杯,使烧杯壁上的浓硫酸能被洗去。清洗结束后,用大量水保存硅片,并需要使硅片的正面保持朝上。
二、硅基片表面的氨基化处理
(3) 取出氨化烧杯(专用),先用无水乙醇清洗2次,然后倒入20ml无水乙醇,将步骤(2)反应后的获得的羟基化硅片转移到氨化烧杯中,用无水乙醇清洗3次。清洗时同步骤(2),使硅片处于乙醇环境中;清洗完成后倒掉乙醇,迅速加入3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)和无水乙醇的混合液(体积比为1:15),或者先加15ml无水乙醇,然后用移液管加1ml APTES,摇床上振摇反应2 h。该反应结束后可以使硅片表面氨基化。
建议:1) 对铁板进行平面测试,防止有凹凸产生,从而影响切割稳定性;
2)在上螺丝的时候要进行对角交叉的方式来进行;
3)用质量较好的胶水来粘硅棒,并掌握好胶水的厚度;
4)在脱胶过程中,掌握好水温,如果脱胶比较难,要采取升温或者延长时间的方式来脱胶;
如果还不行,那你只有让有经验的人现场指导看看了。
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