sem硅片有正反面吗

有。

硅片一般分正面和背面，正面印正银，背面印背银和背铝，烘干烧结后可以使用并测试。光伏用的硅片表面不能有线痕，这种工艺在切割时就定型，用途太阳能发电。而半导体硅片在切割时，硅片两面都有线痕，经抛光研磨后成晶圆，再上光刻胶。

很多纳米管、线等都是在类似的基体上生长，然后直接SEM观察。换句话说，只有纳米材料才会考虑用抛光硅片做样品载台。微米亚微米级别的，浪费，直接双面导电胶带粘即可。抛光是研磨后进一步平整漆面，除去研磨残余条纹，抛光剂使漆面光泽度自然呈现。抛光有很多种，有机械抛光、化学抛光、电解抛光、超声波抛光、流体抛光、磁研磨抛光。

硅片表面的几种处理方法和步骤

一、 硅片的预处理：

（1）硅片切割：根据所需大小，用玻璃刀进行硅片的切割。操作时需要在洁净的环境中，并带一次性手套，以避免污染硅片。先在桌面平铺一张干净的称量纸，用镊子小心夹持硅片的边缘，将其正面朝上（光亮面）放于称量纸上；再取一张干净的称量纸覆盖于硅片表面，留出硅片上需要切割的部分；将切割专用的直尺放于覆盖硅片的纸上，用手轻轻压住直尺；直尺应不超过待切割侧的纸面，以防止直尺污染硅片；切割时玻璃刀沿直尺稍用力平行滑动，使用的力量以能在硅片表面形成一清晰的划痕，但不至于将硅片划开为度；如对大块硅片进行横纵向多次切割，即可在硅片表面形成网格；将硅片包裹于称量纸内，（避免手套和硅片表面直接接触）用手沿网格线轻轻掰动即可形成大小合适的小型硅片；将切割好的硅片用镊子小心夹持，放于干净的塑料平皿内，正面朝上，并用封口膜将平皿封好，放于干净处保存待用。

注意：整块硅片取出后严禁放回硅片盒，应另行保存。

二、 硅基片表面的羟基化处理

（2） 在通风橱内，将切割好的小型硅片置于干净的羟化烧杯（专用）中，将其正面朝上，用去离子水清洗3次，清洗时稍用力，使硅片能够在烧杯中旋转起来，以减少硅片之间的摩擦碰撞；将水倒净，立即用移液管（过氧化氢专用）往烧杯中加入5ml过氧化氢（H2O2），然后用移液管（浓硫酸专用）加入15ml浓硫酸（H2SO4），在摇床上缓慢振荡或静置30分钟使之充分反应，此反应可使表面羟基化。倒掉上步反应的液体，用去离子水清洗3次。清洗时稍用力，使硅片能够在烧杯中旋转起来，以减少硅片之间的摩擦碰撞；然后将烧杯口向下倾斜，缓慢转动烧杯，使烧杯壁上的浓硫酸能被洗去。清洗结束后，用大量水保存硅片，并需要使硅片的正面保持朝上。

二、硅基片表面的氨基化处理

（3） 取出氨化烧杯（专用），先用无水乙醇清洗2次，然后倒入20ml无水乙醇，将步骤（2）反应后的获得的羟基化硅片转移到氨化烧杯中，用无水乙醇清洗3次。清洗时同步骤（2），使硅片处于乙醇环境中；清洗完成后倒掉乙醇，迅速加入3-氨基丙基三乙氧基硅烷（APTES）和无水乙醇的混合液（体积比为1：15），或者先加15ml无水乙醇，然后用移液管加1ml APTES，摇床上振摇反应2 h。该反应结束后可以使硅片表面氨基化。

---