pld常温制备的tio2膜有什么是导电的

pld常温制备的tio2膜有什么是导电的

采用脉冲激光沉积法（PLD），以Pt(111)/Ti/SiO2/Si为衬底，制备了具有电阻转变特性的TiO2薄膜.X射线衍射（XRD）分析未发现明显的TiO2结晶峰，薄膜呈纳米晶或非晶态.扫描电子显微镜（SEM）及原子力显微镜（AFM）分析表明，TiO2薄膜表面平整、光滑致密.电学测试结果表明，TiO2薄膜具有明显的单极性电阻转变特性，高低阻态比值达到104.高阻态下薄膜的导电过程可用空间电荷限制电流模型解释，过程中存在软击穿现象.在此基础上，对薄膜中丝导电通道的产生及熔断过程进行了初步分析.

用直流反应磁控溅射法制备了玻璃基TiO2薄膜。溅射过程中，Ar气的分压保持在0．8SPa不变，而O2的分压在0．10Pa～0．6SPa之间变化：镀膜试样在400℃～550℃之间进行热处理。用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和紫外．可见光谱仪研究了薄膜的表面形貌、薄膜沉积速率和光学带隙宽度。结果表明，随着氧气分压从0．10Pa增加到0．6SPa，薄膜沉积速率从4．4nm／min下降到2．2nm／min，光学带隙从3．67eV下降到3．59eV，薄膜表面呈现出均匀的纳米晶粒和纳米孔：550℃热处理有助于较致密薄膜形成纳米晶粒和纳米孔，并降低带隙宽度。

pld温制备tio2膜导电

采用脉冲激光沉积（PLD）Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底制备具电阻转变特性TiO2薄膜.X射线衍射（XRD）析未发现明显TiO2结晶峰薄膜呈纳米晶或非晶态.扫描电显微镜（SEM）及原力显微镜（AFM）析表明TiO2薄膜表面平整、光滑致密.电测试结表明TiO2薄膜具明显单极性电阻转变特性高低阻态比值达104.高阻态薄膜导电程用空间电荷限制电流模型解释程存软击穿现象.基础薄膜丝导电通道产及熔断程进行初步析.

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