sem硅片有正反面吗

硅片一般分正面和背面，正面印正银，背面印背银和背铝，烘干烧结后可以使用并测试。光伏用的硅片表面不能有线痕，这种工艺在切割时就定型，用途太阳能发电。而半导体硅片在切割时，硅片两面都有线痕，经抛光研磨后成晶圆，再上光刻胶。

很多纳米管、线等都是在类似的基体上生长，然后直接SEM观察。换句话说，只有纳米材料才会考虑用抛光硅片做样品载台。微米亚微米级别的，浪费，直接双面导电胶带粘即可。抛光是研磨后进一步平整漆面，除去研磨残余条纹，抛光剂使漆面光泽度自然呈现。抛光有很多种，有机械抛光、化学抛光、电解抛光、超声波抛光、流体抛光、磁研磨抛光。

SEM对样品的要求。

1、不会被电子束分解。

2、在电子束扫描下热稳定性要好。

3、能提供导电和导热通道。

4、大小与厚度要适于样品台的安装。

5、观察面应该清洁，无污染物。

6、进行微区成分分析的表面应平整。

7、磁性试样要预先去磁，以免观察时电子束受到磁场的影响。

烧结试样的 SEM 分析采用日本日立公司生产的 S-520 扫描电子显微镜完成。首先将试样的新鲜断裂面在 IB-3 离子溅射渡膜仪中喷渡厚度约为 10 ～20 nm 的金，对结构致密的部分试样断裂面采用 40%浓度的氢氟酸 ( HF) 侵蚀 20min 后进行镀金，然后放入 SEM样品室内进行观察，电子枪电压采用 20kV，电子束流为 150 mA，并用照相方式记录样品的二次电子图像 ( 或称之为形貌像) 。