TEM:材料的表面形貌,结晶性。配合EDX可以获得材料的元素组成
FTIR:主要用于测试高分子有机材料,确定不同高分子键的存在,确定材料的结构。如单键,双键等等
Raman:通过测定转动能及和振动能及,用来测定材料的结构。
CV:CV曲线可以测试得到很多信息,比如所需电沉积电压,电流,以及半导体行业可以得到直流偏压
EIS:EIS就是电化学交流阻抗谱测试可以得到电极电位,阻抗信息,从而模拟出系统内在串联电阻,并联电阻和电容相关信息
BET:主要是测试材料比表面积的,可以得到材料的比表面积信息。
XRD:主要是测试材料的物性,晶型的。高级的XRD还可以测试材料不同晶型的组分。
质谱:主要用于鉴定材料的化学成分,包括液相质谱,气象质谱
sio2是原子晶体,是玻璃的主要成分.二氧化硅不能与水直接化合成为酸,能跟碱性氧化物或者强碱溶液或熔融状态下反应,常与naoh生成硅酸钠。sio2+naoh=na2sio3+h2osio2化学性质较为稳定。sio2还能与hf(氢氟酸)反应
sio2+4hf=sif4+2h2o
si3n4及活性炭黑为原料,按照两者质量比为31制成试样。在埋炭条件下,将试样分别在1480
℃、1500
℃、1550
℃和1600
℃保温3
h热处理。利用sem、eds及xrd等检测方法,结合热力学分析,研究了高温状态下β?si3n4在含碳耐火材料中的稳定性以及作为过渡相向碳化硅的转化。结果表明:在该试验条件下,β?si3n4在含碳材料中将作为过渡相向sic转化,明显的转化温度>1500
℃,1600
℃仍存在较多未转化的氮化硅;氮化硅颗粒与炭黑的反应主要从接触面开始,然后向内逐步推进;β?si3n4的粒度对其转化率影响较大。
sio2当达到1873k时熔化也就是1599.85℃
si3n4当达到1000℃时熔化。
0.1克左右。首先SEM扫描电镜测试对样品的要求并不高,粉末、液体、固体、薄膜、块体均可测试,块体样品要求长宽小于1cm,厚度小于1cm左右。
粉体样品,常规粉末直接粘到导电胶上测试,如需分散后测试要提前与试验室工作人员说明。
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