SEM与TEM的区别

一、性质不同

1、SEM：根据用户使用搜索引擎的方式利用用户检索信息的机会尽可能将营销信息传递给目标用户。

2、TEM：把经加速和聚集的电子束投射到非常薄的样品上，电子与样品中的原子碰撞而改变方向，从而产生立体角散射。

二、原理不同

1、TEM

（1）吸收像：当电子被发射到高质量和高密度的样品时，主要的相位形成是散射。当样品的质量和厚度较大时，电子的散射角较大，通过的电子较小，图像的亮度较暗。早期透射电子显微镜（TEM）就是基于这一原理。

（2）衍射像：电子束被样品衍射后，样品不同位置的衍射波振幅分布对应于样品中晶体各部分的不同衍射能力。当出现晶体缺陷时，缺陷部分的衍射能力与整个区域的衍射能力不同，使得衍射波的振幅分布不均匀，反映了晶体缺陷的分布。

2、SEM

（1）用户搜索；

（2）返回结果；

（3）查看结果；

（4）点击内容；

（5）浏览网站；

（6）咨询搜索。

扩展资料：

TEM特点：

1、以电子束为光源，电磁场为透镜。电子束的波长与加速电压（通常为50-120千伏）成反比。

2、它由五部分组成：电子照明系统、电磁透镜成像系统、真空系统、记录系统和电源系统。

3、分辨率为0.2nm，放大倍数可达一百万倍。

4、透射电镜分析技术是一种高分辨率（1nm）高倍率的电子光学分析技术，它以波长很短的电子束为光源，聚焦于电磁透镜成像。

5、用透射电镜分析样品，通常有两个目的：一是获得高倍率的电子图像，二是获得电子衍射图样。

6、透射电镜常用于研究纳米材料的结晶，观察纳米颗粒的形貌和分散度，测量和评价纳米颗粒的粒径。这是表征纳米复合材料微观结构的常用技术之一。

参考资料来源：百度百科-TEM

参考资料来源：百度百科-搜索引擎营销

四极杆系统将离子按质荷比分离后最终引入检测器，检测器将离子转换成电子脉冲，然后由积分线路计数。电子脉冲的大小与试样中分析离子的浓度有关。通过与已知浓度的标准比较，实现未知试样的痕量元素的定量分析。

离子检测器有连续或不连续打拿极电子倍增器、法拉第杯检测器、Daley检测器等。现在的ICP-MS多采用一种不连续打拿极电子倍增器，其基本原理是基于二次电子发射过程，它由多个独立的打拿极阵列组成。当任何一个带电离子或中性粒子、离子或电子撞击一个涂有特定物质的表面，都可以引起原子外层电子的释放作用。释放的二次电子的数目取决于入射离子的类型和能量，以及它的入射角度、入射面的材料和表面积等性质。电子倍增器通常有一个有限的寿命，它取决于总的累积放电。超过这个寿命，内表涂层不再起倍增作用，倍增器需更换。

电子倍增器的运行需要一个低于666.5×10-5Pa的真空环境。否则，检测器室内将产生寄生放电现象。一个离子在收集器上产生一个大约为108电子脉冲。电子倍增器如已开启，最好放在无尘、放有干燥剂的玻璃干燥器中保存。为了延长其使用寿命，施加的电压应保持在能达到所要求性能的最小值。操作电压应缓慢增加，直到达到脉冲计数倍增器的平台电压。最佳的电压值应该是拐点之后稍微大一点。

目前ICP-MS所采用的离子检测器几乎都是澳大利亚ETP 公司生产的不连续电子倍增器。新型不连续打拿极电子倍增器也称为活化膜电子倍增器。活化膜是一种新的打拿极材料，其特点是:①二次电子发射效率高，所以增益高，灵敏度高；②在空气中稳定，可以储存数年，出厂保证有效期为不开启存放两年；③动态范围宽；④使用寿命增加，比常规CEM 检测器长35%～100%，这是因为电子倍增器中增益(即电子放大的能力)的降低机理不同。倍增器增益不断降低的主要原因是打拿极表面杂质累积污染引起的，其污染程度受两个因素影响：一是真空室残留气体中污染物的影响；二是打拿极表面入射的电子密度。活化膜检测器的打拿极面积比连续打拿极面积大得多，每单位面积的杂质累积污染则相应减少，所以使用寿命增加。

普通的电子倍增器采用的是电子脉冲检测模式，所以线性范围只有5个数量级。要想解决ICP-MS中高低浓度同时测定的问题，必须扩大检测器的线性动态范围。现在的双模式检测器很好地解决了这个问题。它采用脉冲计数和模拟两种方式，可同时测定同一个试样中的低浓度和高浓度元素，线性范围达8～9个数量级。采用全数字电子倍增器，自动切换灵敏度范围，甚至可达12个数量级。

在高计数率条件下，离子撞击检测器的速率太高，以至于测量电路不能以有效的方式处理计数。离子在前面的离子输出脉冲期间就到达了检测器，因而未被计数系统检测。检测器和其他有关的计数电子器不能分辨连续脉冲的这段时间称为“死时间”。死时间将导致仪器的信号响应超过某个计数率，一般约为1×106计数/秒时，就成为非线性。大多数早期ICP-MS系统的死时间校正约为110ns，而现代仪器则趋向于仅用20ns左右来校正响应的弯曲部分。“死时间”对于同位素比值的测定非常重要，死时间和元素的质量以及浓度有关，所以在有些特殊应用中，如同位素比值的精确测定，还是应该针对具体元素进行“死时间”校正。

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