1、溶胶-乳液-凝胶法
溶胶-乳液-凝胶法是在溶胶凝胶法的基础上发展起来的。其主要工艺过程是利用醇铝水解,经过溶胶凝胶过程制备球形氧化铝粉体,整个水解体系比较复杂,其中溶解醇铝的辛醇占50%,乙腈溶剂占40%,分散水的辛醇和丁醇分别占9%和1%,并且用羟丙基纤维素作分散剂,得到了球形度非常好的球形氧化铝粉体。
溶胶-乳液-凝胶法由于采用了有机溶剂及表面活性剂,缺点是不利于氧化铝粉体的分离及干燥。
溶胶-乳液-凝胶法制备球形氧化铝粉体SEM图片
2、滴球法
滴球法是将氧化铝溶胶滴入到油层(通常使用石蜡、矿物油等),靠表面张力的作用形成球形的溶胶颗粒,随后溶胶颗粒在氨水溶液中凝胶化,最后将凝胶颗粒干燥,煅烧形成球形氧化铝的方法。滴球法制备的球形氧化铝主要应用于吸附剂或催化剂载体。
滴球法是对溶胶-乳液-凝胶法在工艺上的进一步改进,其优点是省去了粉体与油性试剂的分离处理。缺点是制备球形氧化铝的粒径较大,
3、均相沉淀法
均相沉淀法是指在Al2(SO4)3或NH4Al(SO4)2均相溶液中,其沉淀过程包括晶核形成、聚集长大、析出。在沉淀剂的作用下,均相溶液中的浓度降低,就会均匀地生成大量的微小晶核,最终形成的细小沉淀颗粒会均匀地分散在整个溶液当中,制备得到球形氧化铝。
需要特别注意的是:球形氧化铝粉体颗粒只有在Al2(SO4)3或NH4Al(SO4)2溶液中能够获得,而不能在Al(NO3)3或AlCl3溶液中得到,可见SO42-对形成球形颗粒起到了至关重要的作用。
均相沉淀法制备球形氧化铝SEM图
均相沉淀法优点是能够制备球形度非常好的氧化铝粉体,形貌均一,粒度分布窄。缺点是该方法局限性大,形貌形成机理尚不明确。
4、模板法
模板法是以球形原料作为过程中控制形态的试剂,产品通常空心或者是核壳结构。主要工艺过程是以聚苯乙烯微球为模板剂,用碳酸功能化的氧化铝纳米粒子包覆,再通过甲苯洗涤,制备了空心氧化铝球体。
模板法是制备空心球体的好方法。缺点是对模板剂的要求较高,制备过程步骤多,不易操作。
空心球形氧化铝的合成原理示意图
5、气溶胶分解法
气溶胶分解通常是以铝醇盐为原料,利用铝醇盐易水解和高温热解的性质,并采用相变的物理手段,将铝醇盐气化,然后与水蒸汽接触水解雾化,再经高温干燥或直接高温热解,从而实现气-液-固或气-固相的转变,最终形成球形氧化铝粉体。气溶胶分解法关键是由雾化部分和反应部分组成的复杂的实验装置。
气溶胶水解法的工艺流程图
6、喷射法
喷射法制备球形氧化铝的实质是在较短的时间内实现相的转变,利用表面张力的作用使产物球形化,根据相转变的特点又可以分为喷雾热解法、喷雾干燥法和喷射熔融法。
(1)喷雾热解法
喷雾热解法是以Al(SO4)3、Al(NO3)3和AlCl3溶液为原料,通过雾化作用形成球形液滴,经过高温热解生成球形氧化铝粉体。该方法热解过程需要900℃,耗能较大。
(2)喷雾干燥法
喷雾干燥法是先将铝盐溶液与氨水反应制成氧化铝溶胶,再将氧化铝溶胶在150-240℃下喷雾干燥,制备得到球形氧化铝粉体。
该方法相比于喷雾热解法法,优点是:可减少能量的消耗。
喷雾干燥法制备球形氧化铝粉体SEM图
(3)喷射熔融法
喷射熔融法是利用等离子焰直接将固体铝粉或氧化铝粉熔融,然后马上做退火处理,通过调节载气成分和直流电弧的功率可以控制球形化程度,并可以制备空心结构。
等离子喷雾熔融法制备球形氧化铝
分子式: α-Al2O3性质:白色晶体粉末。密度4.0g/cm3。熔点2015℃。沸点2980℃。莫氏硬度8.8。不溶于水。难溶于酸。一般不被化学药品侵蚀。可由水合氧化铝经1200℃灼烧制得。硬度仅次于金刚石和金刚砂。可用于制轴承、砂轮、实验器皿等。刚玉是天然的α-Al2O3,因其中含有少量杂质而有不同颜色。人工高温烧结的氧化铝称人造刚玉,可耐1800℃,常用作高温耐火材料。高纯氧化铝与少量着色物如氧化铬(红色)或氧化铁(蓝色)混合,经高温熔融可制得人造宝石,用作钟表和精密仪器的轴承及装饰品。
β-氧化铝
性质:并非氧化铝的异构体,而是一种铝酸盐。通式为M2O·xAl2O3,M为一价阳离子,也可被二价或三价阳离子置换。其中钠β-氧化铝离子电导率最高,是非化学计量化合物,有两种变体:β和β′′,理想计量式分别为Na2O·11Al2O3和Na2O·5.33Al2O3。β-氧化铝属六方晶系,是层状结构,单位晶胞含两个铝氧尖晶石基块;β′′-氧化铝属三方晶系,也是层状结构,单位晶胞含三个尖晶石基块。β′′-氧化铝比β-氧化铝具有更高的钠离子导电率,300℃时达10-1S·cm-1,已成功地用作钠/硫蓄电池的隔膜材料。
电荷注入不平衡是制约钙钛矿型发光二极管(PeLEDs)效率的主要问题之一。通过对多空穴传输层的器件结构进行了设计,成功地实现了高效的PeLEDs器件。然而,在一个典型的溶液法制备的PeLEDs中,多层HTL很容易被下一层的油墨重新溶解,这不仅严重恶化了HTLs的电性能,而且影响了顶层钙钛矿薄膜的质量。
来自苏州大学的研究人员针对这一现象, 通过在HTLs和钙钛矿层之间插入一层薄的原子层沉积氧化铝(Al2O3)层,成功的改善了界面接触,从而获得具有增强特性和平衡电荷注入的钙钛矿薄膜。 另外,由于适当的折射率(r),Al2O3层的存在也有利于PeLEDs的出光耦合。结果表明,所制备的绿色PeLEDs具有良好的重复性和17.0%的外量子效率,比不添加Al2O3的器件提高约60%。该工作为提高钙钛矿型光电器件中电荷传输层与钙钛矿之间的界面接触提供了一条很有前途的途径。相关论文以题目为“High Efficiency Perovskite Light-Emitting Diodes with Improved Interfacial Contact”发表在ACS Applied Materials &Interfaces 期刊上。
论文链接:
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.0c07514
金属卤化物钙钛矿由于其独特的光电特性,是一种很有前途的发光二极管材料。在过去的几年里在器件方面取得了重大进展。在典型的PeLEDs中,器件通常由电极、电子传输层(ETL)、发射层(EML)和空穴传输层(HTL)组成。良好的能量水平校准是提高电荷注入效率的关键。切相关,因此迫切需要开发有效的方法来增强电荷传输层与EML之间的界面接触。在这种情况下,需要在钙钛矿薄膜和电荷传输层之间形成一个更可控、质量更高的界面层。在这里,作者开发了一种通过在中间插入原子层沉积处理过的氧化铝层来提高界面质量的方法。得到了很大改善的界面接触,同时也增强了钙钛矿前驱体在其上的润湿性,从而促进了高质量钙钛矿薄膜的形成。
图1.(a)底层再溶解示意图。(b)ITO / TFB / PVK的AFM高度和线扫描。 AFM图像的扫描区域为5μm×5μm。(c)ITO / TFB / PVK / Al2O3的AFM高度和线扫描(n = 50)。 AFM图像的扫描区域为5μm×5μm。
图2.(a)用不同循环Al2O3层覆盖的TFB / PVK的水接触角。(b)TFB / PVK / Al2O3(n = 0、30、50和70)上钙钛矿薄膜的SEM图像和(c)AFM图像。SEM图像的比例尺为200 nm。AFM图像的扫描区域为10μm×10μm。
图3.(a)沉积在TFB / PVK / Al2O3上的钙钛矿薄膜的PL强度(n = 0、30、50和70)。(b)沉积在TFB / PVK / Al2O3上的钙钛矿膜的PL强度与时间的关系(n = 0、30、50和70)。(c)具有不同循环Al2O3层的器件在514 nm波长处的模拟光通量。
图4.(a)具有ITO / TFB / PVK / Al2O3/钙钛矿/ TPBi /LiF / Al结构(n = 50)的器件的截面SEM图像。(b)PeLED器件结构的能量图。(c)具有n = 0、30、50和70的器件的J-V-L曲线。(d)具有或不具有Al2O3(n = 50)层的器件的EQE-J曲线。(e)n = 0、30、50和70的器件的EQE分布。(f)不使用(W / O)或使用Al2O3(n = 50)的器件的工作时间,其亮度衰减。
(文:爱新觉罗星)
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