内存、cpu、寄存器、存储器和磁盘分别在哪儿？有什么联系和区别？

cpu的内部结构可分为控制单元，逻辑单元和存储单元三大部分。

cup存储单元有寄存器和高速缓冲存储器，

寄存器（register）是cpu内部的元件，所以在寄存器之间的数据传送非常快。

用途：

1.可将寄存器内的数据执行算术及逻辑运算。

2.存于寄存器内的地址可用来指向内存的某个位置，即寻址。

3.可以用来读写数据到电脑的周边设备。

寄存器数量：

1、8个通用寄存器：

数据寄存器：ax,bx,cx,dx

指针寄存器：sp（堆栈指针）,bp（基址指针）

变址寄存器：si（原地址）,di（目的地址）

2、控制寄存器（2个）

3、段寄存器（4个）

高速缓存：

缓存大小也是cpu的重要指标之一，而且缓存的结构和大小对cpu速度的影响非常大，cpu内缓存的运行频率极高，一般是和处理器同频运作，工作效率远远大于系统内存和硬盘。实际工作时，cpu往往需要重复读取同样的数据块，而缓存容量的增大，可以大幅度提升cpu内部读取数据的命中率，而不用再到内存或者硬盘上寻找，以此提高系统性能。但是由于cpu芯片面积和成本的因素来考虑，缓存都很小。

l1

cache(一级缓存)是cpu第一层高速缓存，分为数据缓存和指令缓存。内置的l1高速缓存的容量和结构对cpu的性能影响较大，不过高速缓冲存储器均由静态ram组成，结构较复杂，在cpu管芯面积不能太大的情况下，l1级高速缓存的容量不可能做得太大。一般服务器cpu的l1缓存的容量通常在32—256kb。

l2

cache(二级缓存)是cpu的第二层高速缓存，分内部和外部两种芯片。内部的芯片二级缓存运行速度与主频相同，而外部的二级缓存则只有主频的一半。l2高速缓存容量也会影响cpu的性能，原则是越大越好，现在家庭用cpu容量最大的是512kb，而服务器和工作站上用cpu的l2高速缓存更高达256-1mb，有的高达2mb或者3mb。

l3

cache(三级缓存)，分为两种，早期的是外置，现在的都是内置的。而它的实际作用即是，l3缓存的应用可以进一步降低内存延迟，同时提升大数据量计算时处理器的性能。降低内存延迟和提升大数据量计算能力对游戏都很有帮助。而在服务器领域增加l3缓存在性能方面仍然有显著的提升。比方具有较大l3缓存的配置利用物理内存会更有效，故它比较慢的磁盘i/o子系统可以处理更多的数据请求。具有较大l3缓存的处理器提供更有效的文件系统缓存行为及较短消息和处理器队列长度

最大的区别就是：服务器内存有数据校验和纠错功能，而普通内存没有。

memory是用来存储程序和数据的部件，通过使用内存，计算机才有了记忆功能。memory种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器。

主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘,软盘,磁带,cd 等能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息, 但是由机械部件带动, 速度与cpu相比就显得慢的多。内存指的就是主板上的存储部件，是cpu直接与之沟通，并对其存储数据的部件，存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。

1. 内存的分类

主存的分类：主存有许多不同的类别（见图4.1）。按照存储信息的功能，内存可分为ram（随机存取存储器）和rom（只读存储器）。根据信息的可修改性难易，rom也可分为mask rom，prom，flash memory等。现在计算机的发展速度相当快,主板厂商也需经常升级bios, 所以用flash memory存储bios程序就成为首选, ram即是我们通常所说的内存。 ram的分类 ram主要用来存放各种输入、输出数据，中间计算结果，以及与外部存储器交换信息和作堆栈用。它的存储单元根据具体需要可以读出，也可以写入或改写。由于ram由电子器件组成，所以只能用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的数据就会丢失，故属于易失性元件。

dram的分类：主板上使用的主要内存从以前的dram一直到fpm dram、edo dram、sdram等。 fpm dram即快速页面模式的dram。是一种改良过的dram，一般为30线或72线（simm）的内存。工作原理大致是，如果系统中想要存取的数据刚好是在同一列地址或是同一页（page）内，则内存控制器就不会重复的送出列地址，而只需指定下一个行地址就可以了。 edo dram即扩展数据输出dram。速度比fpm dram快15％~30％。它和fpm dram的构架和运作方式相同，只是缩短了两个数据传送周期之间等待的时间，使在本周期的数据还未完成时即可进行下一周期的传送，以加快cpu数据的处理。 edo dram目前广泛应用于计算机主板上，几乎完全取代了fpm dram，工作电压一般为5v，接口方式为72线（simm），也有168线（dimm）。 bedo dram（burst edo dram），即突发式edo dram。是一种改良式edo dram。它和edo dram不同之处是edo dram一次只传输一组数据，而bedo dram则采用了"突发"方式运作，一次可以传输"一批"数据，一般bedo dram能够将edo dram的性能提高40％左右。由于sdram的出现和流行，使bedo dram的社会需求量降低。 sdram（synchronous dram）即同步dram。目前十分流行的一种内存。工作电压一般为3.3v，其接口多为168线的dimm类型。它最大的特色就是可以与cpu的外部工作时钟同步，和我们的cpu、主板使用相同的工作时钟，如果cpu的外部工作时钟是100mhz，则送至内存上的频率也是100mhz。这样一来将去掉时间上的延迟，可提高内存存取的效率。

2. dram相关知识

* 基本工作原理 dram是以逻辑阵列形态的基本储存单位来保持数据的，因此在存取时必须提供一个行地址和一个位地址来确定数据的正确位置。第一步是由列地址信号启动，即ras（row address strobe），当此信号启动时，整列的数据都等待着被输出或输入，接着便是由行地址信号启动，即cas（column address strobe），当行地址信号启动时，便在之前已选中的该列中挑出包含所匹配的行地址数据的基本储存单位，并将该数据输出或输入到数据总线。

* 突发模式 突发模式访问不同于一般模式访问，能一次传输一批数据。第一次的内存访问通常要4－7个时钟周期，这叫做存储器的反应时间（latency）。如果读取连续的4个内存地址，则对第2，3，4次的内存访问就不必再次的提供地址，可以在1－3个时钟周期内完成，这就是突发模式访问的原理。如果总线宽度为64bit，则一次突发访问可以依次读取256bits的数据，系统的二级缓存被设计成使用256bits的宽度来适应这种访问模式，能够存储一次突发访问中读取的所有数据位。突发模式的系统定时通常表示成简写的形式：x－y－y－y。x代表第一次访问所需的时钟周期的数量，y代表进行随后的访问所需的时钟周期的数量。通常fpm的y值为3，edo的y值为2，而sdram的y值只有1。

* 接口类型 simm 是single－in line memory module的简写，即单边接触内存模组，其电路板上焊有数目不等的内存ic芯片，即各种dram芯片，此种内存条又分为30个金属引脚（30线）和72线。 dimm 是dual in－line memory module的简写，即双边接触内存模组，也就是说这种类型接口内存的插板的两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为84针，但由于是双边的，所以一共有84×2=168线接触，故而人们经常把这种内存称为168线内存，而把72线的simm类型内存模组直接称为72线内存。 edo dram内存既有72线的，也有168线的，而sdram内存通常为168线的。

3. 内存的错误更正功能（ecc） ecc（error check &correct）的功能不但使内存具有数据检查的能力，而且使内存具备了数据错误修正的功能，奇偶校验为系统存储器提供了一位的错误检测能力，但是不能处理多位错误，并且也没有办法纠正错误。它用一个单独的位来为8位数据提供保护。ecc用7位来保护64位，它用一种特殊的算法在这7位中包含了足够的详细信息，所以能够恢复被保护数据中的一个单独位的错误，并且能检测到2，3甚至4位的错误。 大多数支持ecc内存的主板实际上是用标准的奇偶校验内存模块来工作在ecc模式。因为64位的奇偶校验内存实际上是72位宽，所以有足够的位数来做ecc。ecc需要特殊的芯片组来支持，芯片组将奇偶校验位组合成ecc所需的7位一组。 芯片组一般允许ecc包含一种向操作系统报告所纠正错误的方法，但是并不是所有的操作系统都支持。windows nt和linux会检测这些信息。

另外，ecc将会使系统略微变慢，原因是ecc的算法比较复杂，为了纠正一位的错误需要消耗一定的时间，通常是在每次存储器读时序中增加一个等待状态，结果是整个系统的性能约下降2－3％。但由于这种dram内存在整个系统中较稳定，所以仍被用于局域网络的文件服务器或internet服务器，其价格较贵。

这玩意还是自己学学去吧，先搞好基础，然后学

网络编程

方面的内容或者直接研究

封包

原理了

反正不是个好学的东西，我不过只知皮毛而已

再说网游的数据是存在服务器里的，一般途径无法更改。

你改它干啥？每个游戏都有自己的规则，没了规则，还有什么好玩的？如果觉得不好玩就换个，这想法是于事无补的。

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