电压过低对mos管带来什么影响

电压过低会导致mos管导通不完全，内阻增大，发热量增加。驱动电压大小影响导通电阻，电压越低电阻越大，部分情况会导致保险丝烧断。mos管是金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。

具体选择的电压需要根据具体样品来选择的，一般来讲金属和半导体可能中压10KV和5KV都可以，高分子最好选择5KV的低压，这样可以得到更好的图片效果。

以为高分子的导电性能很差，且容易被电压击穿，所以要选择低电压和快速照相模式的组合。

而金属和半导体，导电性能都还好，可以根据调试的效果自行选择电压来操作。

并没有硬性的规定金属，半导体，高分子具体要多少电压。这些都是需要根据具体的图像质量来不断调整的

首先要明白电压的本质是什么，它是每一库仑电荷所携带的能量，即电压大小表征电流做功能力的大小。而功率就是电流每一秒做的功。简单的说，电压是能力，功率是能力的实现。

如果一定要用个类比，可以电源看成储能的弹簧，那么电压就是弹簧的倔强系数(有的叫弹性系数)。倔强系数越大，势能越大，可以发出的功率也越大。

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