半导体的禁带宽度大小对它的用途有何影响请举例说明

禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；比如氮化镓禁带宽度很大，即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带，这样就能继续发挥半导体作用，同理因为跃迁能量较大，所以GaN更难被击穿，因此常用作高压耐高温器件，也有很高的抗辐射性能。

另一方面，通过掺杂调节禁带宽度可以制作高电子迁移率晶体管（HEMT，High Electron Mobility Transistor）。这种器件及其集成电路都能够工作于超高频（毫米波）、超高速领域，原因就在于它采用了异质结及其中的具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的；而高迁移率的原因部分在于禁带宽度不同的半导体组成异质结。

相关的东西很多，我也在学习之中，互勉~

倍思氮化镓5代好。

1、已经知道氮化镓作为第三代半导体材料，其禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质，利用氮化镓制造的功率器件拥有的优势是高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强。

2、升级到第五代氮化镓技术的GaN5Pro氮化镓快充充电器65W，倍思对它进行了重新优化结构，减少元器件数量，性能和速度更加迅猛，相比上代实现同样的功率体积更小，并且你能够感受更明显的是，充电更低温。

---