半导体的禁带宽度大小对它的用途有何影响请举例说明

禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；比如氮化镓禁带宽度很大，即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带，这样就能继续发挥半导体作用，同理因为跃迁能量较大，所以GaN更难被击穿，因此常用作高压耐高温器件，也有很高的抗辐射性能。

另一方面，通过掺杂调节禁带宽度可以制作高电子迁移率晶体管（HEMT，High Electron Mobility Transistor）。这种器件及其集成电路都能够工作于超高频（毫米波）、超高速领域，原因就在于它采用了异质结及其中的具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的；而高迁移率的原因部分在于禁带宽度不同的半导体组成异质结。

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产生复合电流和禁带宽度。禁带宽度是指一个带隙宽度，固体中电子的能量是不可以连续取值的，禁带宽度越大，正偏复合电流越大是因为产生复合电流和禁带宽度导致的，复合电流是穿越空间电荷区时发生复合的电子与空穴所产生的正偏pn结电流。

光催化剂的禁带宽度是指光催化剂在处理光能转化为化学能的过程中，其能带的最大能量范围。 当光子的能量超过了禁带宽度时，光催化剂就会开始吸收光子。 当光催化剂吸收光子时，就会产生光生电子。 因此，光催化剂的禁带宽度与光生电子的复合是密切相关的。

对于任何一种光催化剂来说，禁带宽度越大，光生电子的复合就越容易发生。 因此，研究光催化剂的禁带宽度对于设计高效的光催化剂具有重要意义。

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