为何说刻蚀工艺在微加工工艺中是必不可少的步骤？

目前越来越多的微加工中材料多为硅、石英等，硬度高、不导电，性脆，导致普通的机械加工无能为力，只能采用光刻、超声波、激光等手段来加工，但成本最低、工艺简单、应力最小的还属腐蚀工艺。

刻蚀工艺；

把未被抗蚀剂掩蔽的薄膜层除去，从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜上完全相同图形的工艺。在集成电路制造过程中，经过掩模套准、曝光和显影，在抗蚀剂膜上复印出所需的图形，或者用电子束直接描绘在抗蚀剂膜上产生图形，然后把此图形精确地转移到抗蚀剂下面的介质薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金属薄膜（如铝及其合金）上去，制造出所需的薄层图案。

刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去，从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形。

刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀。干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀；湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。

在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应（或这两种反应），从而去掉曝露的表面材料。干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最重要方法。而在湿法腐蚀中，液体化学试剂（如酸、碱和溶剂等）以化学方式去除硅片表面的材料。湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下（大于3微米）。湿法腐蚀仍然用来腐蚀硅片上某些层或用来去除干法刻蚀后的残留物。

基本工艺要求　理想的刻蚀工艺必须具有以下特点：①各向异性刻蚀，即只有垂直刻蚀，没有横向钻蚀。这样才能保证精确地在被刻蚀的薄膜上复制出与抗蚀剂上完全一致的几何图形；②良好的刻蚀选择性，即对作为掩模的抗蚀剂和处于其下的另一层薄膜或材料的刻蚀速率都比被刻蚀薄膜的刻蚀速率小得多，以保证刻蚀过程中抗蚀剂掩蔽的有效性，不致发生因为过刻蚀而损坏薄膜下面的其他材料；③加工批量大，控制容易，成本低，对环境污染少，适用于工业生产。

亲你好，圣火令应该属于一种特殊合金。质地坚硬无比，连削铁如泥的倚天剑、屠龙刀都奈何它不得。因此，要在其上刻字刻花纹是用化学“刀”刻的：“在圣火令上遍涂白蜡，在白蜡上雕以花纹文字，然后注以烈性酸液，以数月工夫，慢慢腐蚀。待到刮去白蜡，花纹文字便刻成了。”这是典型的化学刻蚀技术。

迄今为止，此项技术仍在玻璃花瓶雕花、镜子上刻字以及电路板刻蚀工艺中运用着。涂蜡（或涂漆）是一个奇妙的点子，因为蜡耐酸性腐蚀，有蜡部分与无蜡部分，恰恰构成了防腐蚀和被腐蚀两种截然相反的状态。因此，在涂蜡的材料表面刻字或刻花纹其实是刻去蜡，造成有字或花纹的地方无蜡，这样强酸浸泡后，便形成了凹字和凹花纹。强酸腐蚀愈久，则凹字和凹纹愈深。

古人在制作刀剑一类兵器时，为了装饰的需要，常爱用腐蚀剂“造”花纹。一种称作“镔铁”的特殊钢，其表面先磨光，然后用腐蚀剂（黄矾，即硫酸铁）进行处理，可形成螺旋状、雪花状等美丽花纹。据称此种工艺技术源于古波斯，南北朝时传入我国。联想起圣火令的产地波斯，有联系啊。

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