硅的禁带宽度是多少?对应多少波长

硅的禁带宽度大概是1.1-1.3V,具体是随着温度变化的,随温度变化的关系可以看下面“参考资料”里面那篇文章,文章中提供了好几个经验公式.

对应波长：L=c/f = c/(E/h) = c*h/E

这里E是光子能量,c是光速,h是普朗克常数.

取c=3*10^8m/s h=4.136*10^(-15)eV/s

温度为300K时,硅的禁带宽度1.124V,则E=1.124eV

得到对应波长为：L=1.104*10^(-6) = 1.104um

也就是大概1.1um左右.

硅的禁带宽度大概是1.1-1.3V，具体是随着温度变化的，随温度变化的关系可以看下面“参考资料”里面那篇文章，文章中提供了好几个经验公式。

对应波长：L=c/f = c/(E/h) = c*h/E

这里E是光子能量，c是光速，h是普朗克常数。

取c=3*10^8m/s h=4.136*10^(-15)eV/s

温度为300K时，硅的禁带宽度1.124V，则E=1.124eV

得到对应波长为：L=1.104*10^(-6) = 1.104um

也就是大概1.1um左右。

因为硅的禁带宽度比锗的大，且在相同温度下，锗的本征激发强于硅，很容易就达到较高的本征载流子浓度，使器件失去性能。在通常情况下，要使硅激发的本征载流子浓度接近掺杂电离的载流子浓度，所需的温度就要高于同样情况下的锗。所以，硅半导体器件比锗半导体的器件工作温度高。

扩展资料：

半导体禁带宽度与温度和掺杂浓度等有关：半导体禁带宽度随温度能够发生变化，这是半导体器件及其电路的一个弱点（但在某些应用中这却是一个优点）。半导体的禁带宽度具有负的温度系数。例如，Si的禁带宽度外推到0K时是1.17eV，到室温时即下降到1.12eV。

禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；对于BJT，当发射区因为高掺杂而出现禁带宽度变窄时，将会导致电流增益大大降低。

参考资料来源：百度百科-锗半导体

参考资料来源：百度百科-半导体禁带宽度

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