二极管锗与硅材料哪个质量好

无所谓那个好，要看实际用途。

做晶体管或者集成电路，硅更适合一些，原因在于：

1 硅的禁带宽度比锗宽，因此受温度影响比锗小。

2 硅的氧化物十分稳定，可以低成本的解决掩蔽层绝缘问题，因此可以实现平面的集成电路，而锗一般只有合金管，无法形成集成电路。

3 硅的氧化物适于做栅介质材料，因此可以做MOS结构，而MOS结构是现代数字电路的基础。

4 硅很便宜，沙子而已，锗很贵。

锗在特定的用途比硅好用，例如霍尔系数比硅高，更适合探测磁场。

对于二极管，硅的优势在于反压高，漏电小，温度稳定性高。锗的优势在于导通压降低，但现在已被硅的肖特基二极管超越。

你说的没错呀。

300K下,Si的禁带宽度是1.12eV,GeSi的禁带宽度是0.67eV，所以本征Ge的载流子浓度远高于Si的，其反向饱和电流密度I0也更大。

I = I0 * [exp(qV/(kT)) - 1]

所以Ge管开启电压更低。

1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流锗管mA级硅管nA级相同温度锗ni比硅ni要高约三数量级所相同掺杂浓度硅少浓度比锗少浓度低故硅管反向饱电流Is

2） 向电压通二极管电流向电压达某数值Ur电流才明显增通电压Ur称二极管门限电压称死区电压或阈值电压由于硅二极管Is远于锗二极管Is所硅二极管门限电压于锗二极管门限电压般硅二极管门限电压约0.5V~0.6V, 锗二极管门限电压约0.1V~0.2V

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