为什么和硅相比，锗二极管受温度影响更大，和死区电压又有什么关系。

一种现象的外在表现都有内在机理。

锗二极管的温度性能和死区电压之间

其实内在是有很大关联的，原因是因为锗和硅禁带宽度不同。锗的禁带宽度低，所以相对不耐温，但是死区小（死区大小在数值上等于禁带宽度对应电压值加绝对温度与温度系数（负的）的乘积）。因为锗禁带宽度小，所以电子更活跃，受温度的影响更大，外在表现就是温度稳定性差。

无所谓那个好，要看实际用途。

做晶体管或者集成电路，硅更适合一些，原因在于：

1 硅的禁带宽度比锗宽，因此受温度影响比锗小。

2 硅的氧化物十分稳定，可以低成本的解决掩蔽层绝缘问题，因此可以实现平面的集成电路，而锗一般只有合金管，无法形成集成电路。

3 硅的氧化物适于做栅介质材料，因此可以做MOS结构，而MOS结构是现代数字电路的基础。

4 硅很便宜，沙子而已，锗很贵。

锗在特定的用途比硅好用，例如霍尔系数比硅高，更适合探测磁场。

对于二极管，硅的优势在于反压高，漏电小，温度稳定性高。锗的优势在于导通压降低，但现在已被硅的肖特基二极管超越。

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