N型和P型禁带宽度可能一样,也可能不一样
半导体的禁带宽度是针对不同半导体材料而言的(不是掺杂类型),相同的半导体材料不论什么类型掺杂,其禁带宽度都是一定的。
不同材料的半导体之间才有禁带宽度的不同。
Si:1.12ev
Ge:0.67ev
GaN:3.34ev
禁带宽度越高,不是介电常数越大。根据相关公开资料查询了解到,禁带宽度越高,介电常数越小。宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小的特点。欢迎分享,转载请注明来源:夏雨云
N型和P型禁带宽度可能一样,也可能不一样
半导体的禁带宽度是针对不同半导体材料而言的(不是掺杂类型),相同的半导体材料不论什么类型掺杂,其禁带宽度都是一定的。
不同材料的半导体之间才有禁带宽度的不同。
Si:1.12ev
Ge:0.67ev
GaN:3.34ev
禁带宽度越高,不是介电常数越大。根据相关公开资料查询了解到,禁带宽度越高,介电常数越小。宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小的特点。欢迎分享,转载请注明来源:夏雨云
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