半导体线宽产生原因

半导体线宽产生原因,第1张

半导体线宽产生原因是需要进行调制来传输信号的。根据查询相关公开信息显示,带宽指的是加载到激光器上的最高调制频率,超过这个频率,信号传输就会乱码。另外带宽与线宽是不一样的,线宽实际上是激光器的谱宽,通常对于不同种类不同应用的激光器会有线宽限制要求,调制分文直接调制和间接调制,通常低速(10G以下)采用直接调制,这种调制会导致线宽变宽,由于光纤色散作用,激光器谱宽变宽就会加剧色散,色散严重就会导致信号乱码,另外在附加说下还有间接调制方式,这种调制就是为了克服直接调制加剧色散而采用的新调制方式,通常有集成式的电吸收调制,还有外加比如铌酸锂调制器调制。

绝缘体的禁带宽度:绝缘体的禁带宽度比较大(6~7ev),而半导体的禁带宽度通常在1ev左右,例如300K下,Si的Eg 1.12ev,Ge 0.67ev,GaAs 1.43ev,当外界条件变化的时候,里面的电子会获得能量,获得能量之后,满带中少量电子,跃迁到上一个空带的底部附近,所以满带中的电子和原先空带中的少量电子都参与导电,所以常温下具有一定的导电能力,通常把满带中,少量电子跃迁后,剩余的大量电子对电流的贡献,用少量的带正电的准粒子加以等效描述,称为空穴。

与半导体禁带宽度有关。

光谱带越小越好,分光光谱窄,特征吸收峰也就纯,干扰小,性能也好。半导体禁带宽度越宽,其导通的电压越高,载流子复合释放出的光子能量也就越大,就是波长也就越短,这就是发蓝光的LED正向电压要大于发红光的LED正向电压。


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