影响半导体禁带宽度的因素有哪些？分别是怎么影响的？

我来回答一下，本人某电微电子科学与工程专业，有表述不当之处，望批评指正。

影响半导体禁带宽度的因素主要有两种：温度与掺杂浓度。（以si、Ge、GaAs半导体为主）

1、半导体禁带宽度具有负温度系数：

从原子到晶体，经过价键杂化（即：sp3杂化），一条原子能级一般对应多个能带。当温度升高时，晶体的原子间距增大，能带宽度虽然变窄，但禁带宽度却是减小的。（这里解释一下，虽然原子间距增大了，并且能带宽度变窄了，但是此时有多条能带，相对来说，禁带宽度是变小的）；

2、掺杂浓度升高时，由于杂质能级的出现，可能导致禁带宽度变窄：

其实这一点从本质来解释是不太好理解的，我这里举个例子，再给出我个人的一些理解，希望可以帮助你理解这一点。例：在BJT中，发射区高掺杂会导致禁带宽度变窄。我个人理解是，有了杂质能级的加入，导电性增强，就像把禁带宽度一分为二，原先的阻碍减少了一部分，相当于禁带宽度变窄了。（纯属个人理解）

禁带宽度越大，电势差越大。PN结的电势差与半导体施主和受主掺杂浓度有关，在温度一定时，掺杂浓度越大，电势差越大；PN结的电势差与半导体的禁带宽度有关，禁带宽度越大，本征载流子浓度越小，电势差越大；PN结的电势差与半导体的温度有关，温度越高，电势差越大。

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