求砷化镓对人体的危害

砷化镓

（gallium

arsenide）化学式

GaAs。黑灰色固体，熔点

1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，性能比硅更优良。它的禁带宽度大，电子迁移率高，介电常数小，能引入深能级杂质，电子有效质量小，能带结构特殊，具有双能谷导带，可以制备发光器件、半导体激光器、微波体效应器件、太阳能电池和高速集成电路等，广泛用于雷达、电子计算机、人造卫星、宇宙飞船等尖端技术中。

在它的化学性质来看，人体是个氧化弱碱性物质，是不会受到侵蚀非常稳定的，它不会辐射，成品后主要是粉尘碎末接触，工厂的防护措施应该可以避免。千万不要自己吓唬自己，别等着本来没事，吓出毛病来就不好了。祝你健康开心~

砷化镓制程除了使用砷化镓基板本身材质含砷化合物外，诸如砷化镓磊晶制程作业过程并使用砷化氢（100％气体，砷化镓作业过程与设备维修保养过程等，均有砷暴露之潜在危害。长期暴露于砷之下会引起各种慢性危害效应的产生。引起色素沉着（hyperpigmentation)与角质化(hyperkeratosis)等皮肤病变，长期砷暴露并已被证实具有致癌性。如为急性砷化氢气体暴露包括头痛、虚弱、呕吐、恶心和腹痛。几个小时之后出现暗红色的尿液，在1至2天之内明显可见黄疸、腹痛、血尿。砷化氢气体中毒的系统包括肺脏；生殖泌尿道、和造血系统。因此对于砷化镓制程作业人员各项安全防护则格外重要，除了现场使用气体侦测器预防砷化氢外泄提早警报外，作业过应避免与含砷物质经由皮肤直接接触，防护具必须确实使用，妥善处理砷废弃物及作业人员接受危害辨识、认知与预防之育训练，由个人防护及作业环境管理与预防才可杜绝作业人员砷暴露的发生。

硅和砷化镓材料的吸收边的差异是禁带宽度。查询网站资料后显示，砷化镓材料禁带宽度比硅要宽，是直接跃迁，光电转换效率较高，硅电池的理论效率仅为百分之23，而单节的砷化镓电池理论效率为百分之27，而多节砷化镓材料的电池理论效率更是高达百分之50。

禁带宽度太窄的话，少字寿命会降低，原因是复合速度变快。禁带宽度无限小的话就是导体了，所以禁带宽度太窄不能做电池。砷化镓正是因为禁带宽度较大，所以如果作成电池的话效率很高，但是成本也高，因为它是半导体中的贵族。

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