2) 向电压通二极管电流向电压达某数值Ur电流才明显增通电压Ur称二极管门限电压称死区电压或阈值电压由于硅二极管Is远于锗二极管Is所硅二极管门限电压于锗二极管门限电压般硅二极管门限电压约0.5V~0.6V, 锗二极管门限电压约0.1V~0.2V
1、光电转化率:
砷化镓的禁带较硅为宽,使得它的光谱响应性和空间太阳光谱匹配能力较硅好。硅电池的理论效率大概为23%,而单结的砷化镓电池理论效率达到27%,而多结的砷化镓电池理论效率更超过50%。
2、耐温性
常规上,砷化镓电池的耐温性要好于硅光电池,有实验数据表明,砷化镓电池在250℃的条件下仍可以正常工作,但是硅光电池在200℃就已经无法正常运行。
3、机械强度和比重
砷化镓较硅质在物理性质上要更脆,这一点使得其加工时比容易碎裂,所以,常把其制成薄膜,并使用衬底(常为Ge[锗]),来对抗其在这一方面的不利,但是也增加了技术的复杂度。
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