2020-02-18小刘科研笔记之氩离子精密抛光（可用于电镜制样）

氩离子精密抛光刻蚀镀膜仪是一款集抛光与镀膜于一身的桌面型制样设备。对于同一个样品，可在同一真空环境下完成抛光及镀膜。通过利用两个宽束氩离子源对样品表面进行抛光，去除损伤层，从而得到高质量的样品，用于SEM、光镜、扫描探针显微镜、EDS、EBSD、CL、EBIC或其他分析。

如图所示，氩离子精密抛光刻蚀镀膜仪配备的三种样品台，其中a、b为平面样品台，可用于样品的镀膜及平面抛光；c为截面样品台，用于截面样品的抛光。

氩离子精密抛光刻蚀镀膜仪同时配备金和铂两个靶材，可根据实际镀膜需求选择合适的靶材进行镀膜或改善扫描电镜样品导电性。

氩离子精密抛光刻蚀镀膜仪同时配备了平面和截面样品抛光用的样品台，以满足不同样品的抛光需求。通过选择合适的离子束能量、离子枪角度、离子枪工作模式、样品台转速及时间控制氩离子的作用强度、深度及角度，实现样品表层损伤层的去除。其中，平面样品可根据待抛光样的高度选择a或b平面样品台；截面样品抛光则选择截面样品台c，同时配合配合挡板的使用，可有效遮蔽下半部分离子束，实现对非目标区域保护并对目标区域损伤层去除的目的。

功能： 具备平面大面积离子抛光、横截面离子抛光及高精度离子束镀膜，全面解决高端场发射电镜所有制样需求

离子枪： 两只潘宁式离子枪，装载微小磁铁，聚焦离子束设计，无消耗；

离子枪角度 ：0°到 + 18°，每只离子枪可独立调节；

离子枪束能量： 0.1keV~8keV, 可在不同电压下自动优化离子束束流；

抛光区域面积 ：平面抛光区域直径≥10mm，横截面≥2mm×2mm；

最大样品尺寸 ：直径32mm×高15mm

样品更换 ：专利Whisperlok设计，样品更换时间<1min，无需破样品室真空；

冷台部分 ：带有液氮冷台，以及精确控温系统，一次加注液氮续航能力6-8小时；

控制部分 ：10英寸触摸屏控制，菜单化操作，并支持研磨抛光程序的设定和储存；

耙材装置 ：同时安装两种靶材，在不破真空的情况下，可自由选择不同靶材进行镀膜，可配备常见所有种类金属靶材、碳靶材甚至氧化物靶材；

离子抛光 结束后可直接在真空中进行镀膜处理，无需破真空再进行镀膜，可防止样品氧化，一站式解决高端电镜制样需求；

无油真空系统 ：无油机械泵+分子泵系统。

薄膜样品由于其厚度薄，常规抛光手段很难实现对其截面的抛光制样，如图2 所示厚度仅90μm PET表层镀金样品，其截面抛光前粗糙，无法分辨基底及镀膜层，利用氩离子抛光后，其表面光滑平整，对红框处放大后可清晰观察到表层金膜。

图3所示为涂层样品抛光前后对比图，从图中可以看到，抛光前，涂层边界处破损严重，涂层与基底处表层覆盖较厚损伤层，对其进行氩离子抛光后，完整的涂层区清晰可见，且对红框处放大可观察到涂层及基底区明显的晶粒分布。

1.与FIB相比，氩离子制样面积更大，制样速率更高；

2.氩离子质量较镓离子更轻，产生的应力层，非晶层更薄，可避免由于制样方法对实验数据产生的误导；

3.氩离子抛光产生的晶格畸变小，可提高EBSD标定率，降低标定参数，提高标定效率；

4.对于易发热的样品，可以通过液氮实时控制样品室温度，避免发热对实验数据的影响，同时提高EBSD标定率。

不积珪步，无以至千里；不积细流，无以成江海。做好每一份工作，都需要坚持不懈的学习。

温控探针冷热台是为液晶研究设计的，为了给样品施加电厂或测量样品的型号，在常规设备的基础上增加了内部电极，并配有液晶池和专用送样器。同时由于热台腔室的密闭性，可以控制腔室里的环境氛围，如湿度、真空或通入内部气体，并可将热态与红外及X射线衍射设备联用。那主要应用于矿物中流体包裹体，熔融包裹体，另可用于观察各类型材料。冷热台可在－190℃－600℃范围内空温。允许光学观察和样品气体环境控制

你好，温控探针冷热台采用自适应PID算法,实现了高精度温度定点控制以及高水平的温度跟随功能。可使微型平台快速温度均衡。

温控探针冷热台歌部件的作用

1样品台:是定位晶源或芯片的部件设备。通常会依据晶圆的尺寸来设计大小，并配备了相应的精细挪动定位功用

2光学元件:这个部件的作用使得用户可以从视觉上缩小察看待测物，以便准确地将探针对准并放置在待测晶圆/芯片的测量点上。有的采用平面变焦显微镜，有的采用数码相机，或者两者兼有

3操纵器:探针台运用操纵器将探针放置在被测物上，它可以很容易的定位探针并疾速固定它们。通常运用磁铁或真空把它们固定在适当的地位。一旦固定，操作器可以在x、y和z方向上精确定位探针。并且在某些状况下提供旋转运动。

4探针:主要分普通DC测试探针、同轴DC测试探针、有源探针和微波探针等。它的尺寸和资料取决于被探测样品的尺寸和所需测量类型决定。其针尖直接接触被测测样品，针臂应与针尖配合使用。

5射频探针:射频探针的实质为适配器，将芯片测量接口转为同轴或波导端口。罕见的射频探针有GSG型、GS型、GSSG型等。射频探针的主要参数有高2工作频率、探针尖距等。目前，同轴接口的射v频探针频率可达110GHz波导接口的射频探针频率高达1.1THz

6网络分析仪:虽然传统网络分析仪也能无效地测量有源器件，例如放大器、混频器和转换器，但它们不能提供以后研发与消费工程师所盼望的精度、易用性和速2度。希望我的回答能帮到你。

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