应该是景深吧``
焦深计算公式
L= ±[(r/M)-d]/2α 其中:
L: 焦深
r: 显像管最小分辨距离
M:放大倍数
d:入射电子束直径
2α:物镜孔径角。
从上面的式子可以看出影响焦深的因素,其中隐含了工作距离w。物镜孔径角与工作距离和入射电子束直径有关。由于r(显像管的分辨率)和2α都是未知数,实际上不能计算。焦深也只是个人的视觉感受,还是直观的测量一下为好。
又查了资料``显像管最小分辨距离为0.22mm-0.3mm, 孔径角的典型数值为10-2—10-3rad.利用公式L= ±[(r/M)-d]/2α可以计算出在有效放大倍率下的焦深数据。设d=3纳米,孔径角2α=10-2 rad,r=0.3mm。计算焦深如下:
1000倍下为59.4微米。5000倍下为11.4微米。10000倍下为5.4微米。超过100000倍已经超过了有效放大倍率。不能计算。
二次电子扫描象的分辨本领最高,约等于入射电子束直径,一般为6-10nm深,主要用于测试表面形貌;背散射电子为50-200 nm深,可以测表面形貌,也可以得到表面成分衬度;吸收电子和X射线为100-1000nm深,这些信号主要用来得到表面元素。 查看原帖>>理论上单纯用SEM不能测出晶型,测晶型一般用XRD等仪器。扫描电镜只能观察形貌,分辨率可达亚微米级别。不过对于特定的样品,如果具有明确的晶型,借助SEM形貌有可能分析出晶型(比如一种物质只有区别明显的两种晶型,借助确定的形貌可以推断是那种晶型)。另外,SEM通过加装EBSD附件,通过观察也有可能观察晶型
欢迎分享,转载请注明来源:夏雨云
评论列表(0条)