测sem时的硅片的作用

检查硅片表面残留的涂层或均匀薄膜。扫描电镜SEM是介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观性貌观察手段，可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。测sem时的硅片的作用检查硅片表面残留的涂层或均匀薄膜，硅片是生产集成电路、分立器件、传感器等半导体产品的关键材料，是半导体产业链基础性的一环。

用测厚度的仪器直接测硅片中心就可以了。测量太阳能硅片一般有两种：一种是测五点，测硅片的中心点和四边的中间点(或四个角)；一种是九点测量，分别测硅片四角、四边中间点和硅片中心点。具体测量的仪器可以了解下立仪科技，他们家的产品类型多，适用领域广，能够实现实时精准测量。

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应该是景深吧``

焦深计算公式

L= ±[(r/M)-d]/2α 其中：

L: 焦深

r: 显像管最小分辨距离

M：放大倍数

d：入射电子束直径

2α：物镜孔径角。

从上面的式子可以看出影响焦深的因素，其中隐含了工作距离w。物镜孔径角与工作距离和入射电子束直径有关。由于r（显像管的分辨率）和2α都是未知数，实际上不能计算。焦深也只是个人的视觉感受，还是直观的测量一下为好。

又查了资料``显像管最小分辨距离为0.22mm-0.3mm, 孔径角的典型数值为10-2—10-3rad.利用公式L= ±[(r/M)-d]/2α可以计算出在有效放大倍率下的焦深数据。设d=3纳米，孔径角2α=10-2 rad，r=0.3mm。计算焦深如下：

1000倍下为59.4微米。5000倍下为11.4微米。10000倍下为5.4微米。超过100000倍已经超过了有效放大倍率。不能计算。

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