EDS及XRD的性能区别

1、EDS是针对一些元素的含量进行测试，XRD是测试晶体结构的。

2、EDS

(Energy

Dispersive

Spectrometer）能谱分析，能谱仪是与扫描电子显微镜或透射电镜相连的设备。在微米或纳米尺度上对扫描电镜或透射电镜内通过电子碰撞所产生的X射线的能量进行测量来确定物质化学成分。分析范围：4-100号元素定性定量分析。

特点：

（1）能快速、同时对各种试样的微区内Be-U的所有元素，元素定性、定量分析，几分钟即可完成。

（2）对试样与探测器的几何位置要求低：对W.D的要求不是很严格；可以在低倍率下获得X射线扫描、面分布结果。

（3）能谱所需探针电流小：对电子束照射后易损伤的试样，例如生物试样、快离子导体试样、玻璃等损伤小。

（4）检测限一般为0.1%－0.5%，中等原子序数的无重叠峰主元素的定量相误差约为2%。

3、XRD，X射线衍射是测定晶体结构的。X射线衍射，通过对材料进行X射线衍射，分析其衍射图谱，分析材料的成分等。

EDX 点扫,面扫和mapping这三者之间有什么差别？

就定量来说，SEM点分析比线分析和面分析更准确，扫描的方式不同，线分析和面分析只能定性的分析观察视场的元素分布情况（线分析是沿着某个界面的元素分布起伏，而面分析是看整个视场的元素分布情况），点分析可以基本定量分析元素。

SEM：材料的表面形貌，形貌特征。配合EDX可以获得材料的元素组成信息

TEM：材料的表面形貌，结晶性。配合EDX可以获得材料的元素组成

FTIR：主要用于测试高分子有机材料，确定不同高分子键的存在，确定材料的结构。如单键，双键等等

Raman：通过测定转动能及和振动能及，用来测定材料的结构。

CV：CV曲线可以测试得到很多信息，比如所需电沉积电压，电流，以及半导体行业可以得到直流偏压

EIS：EIS就是电化学交流阻抗谱测试可以得到电极电位，阻抗信息，从而模拟出系统内在串联电阻，并联电阻和电容相关信息

BET：主要是测试材料比表面积的，可以得到材料的比表面积信息。

XRD：主要是测试材料的物性，晶型的。高级的XRD还可以测试材料不同晶型的组分。

质谱：主要用于鉴定材料的化学成分，包括液相质谱，气象质谱

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