ITO(氧化锡铟)到底是不是半导体

不是半导体

氧化铟锡 (ITO，或者掺锡氧化铟)是一种铟（III族）氧化物 (In2O3) and 锡（IV族）氧化物 (SnO2)的混合物，通常质量比为90% In2O3，10% SnO2。它在薄膜状时，为透明无色。在块状态时，它呈黄偏灰色。氧化铟锡主要的特性是其电学传导和光学透明的组合。然而，薄膜沉积中需要作出妥协，因为高浓度电荷载流子将会增加材料的电导率，但会降低它的透明度。氧化铟锡薄膜最通常是用电子束蒸发、物理气相沉积、或者一些溅射沉积技术的方法沉积到表面。

氧化锡电子层退火温度为350℃，450℃，550℃。根据查询相关公开信息：并发现这种有序多孔膜在室温下具有非常好的紫外光电响应特性，实验中先制备一层多孔Sn膜，再将其退火形成多孔氧化锡膜，退火温度分别为350℃，450℃，550℃，三种温度制备出的氧化锡膜氧含量逐渐增高，组成薄膜的纳米晶颗粒也随温度逐渐增大、融合最后形成非常平整的多孔膜。

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