扫描电镜用的硅片大家是怎么清洗的

用酒精棉擦拭后，洗耳球吹干即可。

严谨一些的话可以置于酒精溶液中超声清洗，效果差不多。

硅片制备扫描电镜样品大多都是纳米颗粒溶液分散后滴到硅片表面，烘干。这类样品的测试效果与硅片的前处理关系不大，主要和样品的分散和样品的烘干有关，多数纳米颗粒尺寸小，易团聚，取溶液时可以取中层或者上层的清液。滴到硅片上后，有条件的可以用红外灯烘烤，或者50℃左右的烘箱干燥，以减少样品表面有机膜对成像带来的困难。

硅片脏了需要清洗，清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。会导致各种缺陷。下面我们来看看硅片清洗工艺。

一、物理清洗：物理清洗有三种方法。①刷洗或擦洗:可除去颗粒污染和大多数粘在片子上的薄膜。②高压清洗：是用液体喷射片子表面，喷嘴的压力高达几百个大气压。高压清洗靠喷射作用，片子不易产生划痕和损伤。但高压喷射会产生静电作用，靠调节喷嘴到片子的距离、角度或加入防静电剂加以避免。③超声波清洗：超声波声能传入溶液,靠气蚀作用洗掉片子上的污染。但是,从有图形的片子上除去小于 1微米颗粒则比较困难。将频率提高到超高频频段，清洗效果更好。

二、化学清洗。化学清洗方法较多,有溶剂萃取、酸洗（硫酸、硝酸、王水、各种混合酸等）和等离子体法等。其中双氧水体系清洗方法效果好，环境污染小。一般方法是将硅片先用成分比为H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的强氧化性,将有机物分解而除去；用超纯水冲洗后,再用成分比为H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的碱性清洗液清洗,由于H2O2的氧化作用和NH4OH的络合作用，许多金属离子形成稳定的可溶性络合物而溶于水；然后使用成分比为H2O:H2O2:HCL=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液，由于H2O2的氧化作用和盐酸的溶解，以及氯离子的络合性，许多金属生成溶于水的络离子，从而达到清洗的目的。

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