金属试样做SEM和EDS之前需要侵蚀吗？

如果你只是做金属材料中的夹杂等成分，可以不用侵蚀，直接使用背散射观察，然后用EDS进行

成分分析

；如果你需要看材料的

基本组织

，第二相等，需要侵蚀，然后SEM观察，同时可在感兴趣的位置进行EDS，包括点、线、面的成分分析。

金相观察是依赖可见光的反射,其原理是被腐蚀的晶界处发生漫反射,在照片上是暗的未被腐蚀的晶粒内部发生的是镜面反射,在照片上是亮的.SEM分二次电子像和背散射电子像:二次电子像必须腐蚀样品,不腐蚀的话什么都看不到.照完金相的样品可以直接照二次电子,但照片的情况有所不同,<1000倍时,二次电子像观察到的晶界是亮的,因为晶界被腐蚀掉,样品在晶界出现棱角,二次电子的产额大,因此是量的,晶界内部反而暗.如果倍数放到足够大,能够看清晶界处的腐蚀程度和凹凸情况背散射电子像是分析样品的成分分布,最好不要腐蚀样品,因为腐蚀样品会把第二相腐蚀掉.

我认为不可行。材料的腐蚀机理多种多样，有可能是畸变、位错、结构的不均匀性、夹杂等因素导致形成局部腐蚀微电池，你怎么区分腐蚀区域是什么原因造成的，生成的化合物是什么，是几价？每种原因速率肯定不一样，生成的元素含量都会有差别。而且初始厚度是多少怎样确定？加工都会有误差。既然要用到SEM这类仪器，不做到微观层次的分析意义就不大了

---