如何测量Al上的氮化硅厚度

氮化硅薄膜作为电介质，钝化层，或掩膜材料被广泛应用于半导体产业。这个案例中，我们用F20-UVX成功地测量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系数。有趣的事，氮化硅薄膜的光学性质与薄膜的分子当量紧密相关。使用Filmetrics专有的氮化硅扩散模型，F20-UVX可以很容易地测量氮化硅薄膜的厚度和光学性质，不管他们是富硅，贫硅，还是分子当量。

东京大学的研究小组1日发表消息称，在氮化硅薄膜上观测到了热传导率越高的现象。其特征在于，使用了将负责热传导的晶格振动(声子)与光联系起来的“表面声子波里顿”。氮化硅被用于半导体元件的绝缘膜和保护膜，此次的成果在集成化和精细化中有助于促进容易发热的元件的散热。

表面声子波拉里顿散热的概念图(东京大学提供)

以往，已知在薄膜的表面上声子以高频率散射，热传导率大幅度变小。东京大学生产技术研究所特聘研究员和野村政宏教授等研究团队制作了与速度比声子快10万倍的光相结合的表面声子波里顿，调查了厚度不同的4种薄膜的热传导率。“-”

在厚度为200纳米的薄膜中，热导率随着温度的升高而降低。在100纳米的薄膜中，减少的趋势减缓了。研究表明，在50纳米和30纳米的薄膜中，随着温度的提高，热传导率变大，在塞氏约500度的高温下，大约是常温的两倍。

氮化硅薄膜的导热率。在厚度为100纳米和200纳米的薄膜(绿色和蓝色的点)中，导热率逐渐降低，而在30纳米和50纳米的薄膜(黑色和红色的点)中，导热率反而增加(东京大学提供)

此外，理论计算表明，表面声子波里顿薄膜越薄，又温度越高，则越大。据了解，表面声子波拉里顿在不散射的情况下推进的平均距离比单独声子要长得多。

这是首次在产业应用的氮化硅薄膜中定量地确定了热传导率的增加。野村副教授说：“我们得到了确凿的证据，表面声子波拉里顿已经在薄膜上成为重要的热传导载体。”？

从物质表面散热传导、辐射、对流这三种机制早已为人所知。如果表面声子波拉里顿产生的散热确立为第四种散热机制，将为进一步开发高集成元件铺平道路。研究成果于9月30日(美国东部时间)刊登在科学杂志“科学高级”上。

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